时间：2025/6/30 10:15:52
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MT18N100J500CT 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET 芯片，广泛应用于各种功率转换和控制电路中。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效降低功耗并提升系统效率。其耐压能力高达 500V，适用于高压环境下的各类应用场景。
该型号是专为需要高可靠性与高效能表现的应用设计的，例如电源管理、电机驱动、逆变器以及工业自动化等领域。
漏源极击穿电压：500V
连续漏极电流：100A
导通电阻：0.018Ω
栅极电荷：32nC
输入电容：400pF
最大工作结温：175℃
MT18N100J500CT 的主要特性包括以下几点：
1. 高耐压能力，可承受高达 500V 的漏源极电压，适用于高压场景。
2. 低导通电阻（Rds(on)），仅为 0.018Ω，显著减少导通损耗。
3. 快速开关性能，拥有较小的栅极电荷和较低的输入电容，支持高频操作。
4. 强大的电流承载能力，连续漏极电流可达 100A，满足大功率应用需求。
5. 工作温度范围广，最高结温达 175℃，适应极端环境条件。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保，适合现代电子产品的环保要求。
MT18N100J500CT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）设计，用于提高转换效率和稳定性。
2. 电机驱动电路，特别是在工业控制和家用电器中的无刷直流电机驱动。
3. 太阳能逆变器，助力光伏系统的高效能量转换。
4. 电动汽车及混合动力汽车中的电力管理系统。
5. 各类工业自动化设备，如伺服控制器和不间断电源（UPS）。
6. 其他需要高性能功率开关的应用场景，如充电器和适配器等。
MT18N100J550CT, IRFP260N, STP100N50E
