品牌：Micron
　　产品类型：DDR2 SDRAM Registered ECC DIMM
　　容量：2GB
　　电压：1.8V
　　引脚数：240-pin
　　接口类型：DIMM
　　数据速率：800 MT/s (DDR2-800)
　　时钟频率：400 MHz
　　CAS延迟：CL5
　　ECC支持：是
　　寄存器类型：Registered (Buffered)
　　总线宽度：72-bit (64 + 8)
　　工作温度范围：0°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +100°C
　　认证标准：JEDEC

MT18HVF25672PZ-80EM1 具备卓越的电气性能与系统兼容性，专为高密度、高可靠性计算环境而设计。其核心特性之一是集成了Register（寄存器）电路，位于内存控制器与DRAM芯片之间，用于重新驱动地址/命令信号，显著降低内存总线上的电气负载，从而提升系统的可扩展性。这一特性使得主板可以支持更多的内存模块同时运行，特别适用于多路处理器服务器架构。相比Unbuffered内存，Registered内存虽然引入了极小的延迟，但换来的是更高的稳定性和更大的最大内存容量支持。
　　ECC（Error Correction Code）功能是该模块另一关键特性。它通过额外的8位ECC位宽实现对64位数据的实时监控，能够在每个数据访问周期中自动检测并纠正单比特错误，并能检测双比特错误（但无法纠正）。这对于金融交易系统、数据库服务器、虚拟化平台等对数据完整性极为敏感的应用至关重要，可大幅降低因软错误（如宇宙射线引起的位翻转）导致的系统宕机风险。
　　该模块采用高品质DRAM芯片制造，经过严格筛选和测试，确保在长时间满负荷运行下的热稳定性和耐久性。其PCB板采用多层设计，优化信号完整性，减少串扰和反射，保障高速信号传输的可靠性。此外，模块支持热插拔设计（需系统配合），便于维护和升级。美光还为其提供长期供货承诺和技术支持，适合工业级和嵌入式应用。
　　MT18HVF25672PZ-80EM1 工作在标准1.8V电压下，相较于后续的低电压内存（如DDR3L或DDR4），功耗略高，但在其所属时代属于主流水平。其工作温度范围宽广（0°C ~ +85°C），适应各种严苛的机房环境。模块符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，满足全球环保法规要求。

MT18HVF25672PZ-80EM1 主要应用于企业级服务器和高端工作站平台，典型使用场景包括数据中心服务器、网络存储设备（NAS/SAN）、虚拟化主机、数据库服务器、Web应用服务器以及高性能计算集群等。由于其具备ECC纠错和Registered缓冲功能，非常适合处理大规模并发请求、长时间连续运行且对数据一致性要求极高的任务。例如，在运行Oracle、SQL Server等大型关系型数据库时，该内存模块可有效防止因内存错误引发的数据损坏或服务中断。
　　此外，该模块也被广泛用于电信基础设施设备、工业控制服务器、医疗成像系统和航空航天地面站等对系统可靠性有严格要求的领域。许多OEM厂商如Dell PowerEdge系列、HP ProLiant系列、IBM System x系列服务器在其特定型号中曾将此模块作为官方认证内存使用，确保系统兼容性和稳定性。即使在当前，一些仍在服役的老化服务器系统仍依赖此类内存进行维护和扩容。
　　尽管DDR2技术已逐步被DDR3、DDR4乃至DDR5取代，但在某些遗留系统或特定行业设备中，MT18HVF25672PZ-80EM1 依然具有不可替代的价值。特别是在系统升级受限于主板架构的情况下，该模块成为维持业务连续性的关键组件。同时，它也常用于实验室测试、固件开发、BIOS调试等专业技术场景中，作为标准参考内存模块使用。