时间：2025/6/30 10:14:53
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MT18B682K101CT 是一款高速、低功耗的 CMOS 静态随机存取存储器（SRAM），主要用于需要高可靠性和高性能的数据存储应用。该芯片采用先进的制造工艺，提供卓越的速度性能和低功耗特性，适合工业级和商业级应用。其结构设计使得数据访问快速且稳定，同时具备出色的抗干扰能力。
该型号 SRAM 的主要特点是大容量存储、快速读写操作以及在极端温度范围内的稳定性。由于其非易失性特点，只要电源持续供应，数据即可保持完整。
容量：512K x 16 bits
工作电压：2.5V 至 3.6V
访问时间：10ns
数据保留时间：无限（电源正常情况下）
封装形式：TQFP-100
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
接口类型：同步
引脚数：100
MT18B682K101CT 提供了高密度存储解决方案，具有以下显著特性：
1. 快速访问时间确保高效的数据读写操作。
2. 支持宽范围的工作电压，适应多种供电条件。
3. 具备低功耗待机模式，减少系统能耗。
4. 可靠性高，能够在恶劣环境下长期运行。
5. 封装紧凑，便于集成到各种电子设备中。
6. 数据完整性保护机制，防止意外丢失或损坏。
7. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
这款 SRAM 广泛应用于需要高性能数据缓存和临时存储的领域，包括但不限于：
1. 网络通信设备，如路由器和交换机。
2. 工业控制装置，例如可编程逻辑控制器（PLC）。
3. 医疗设备中的数据缓冲与处理。
4. 嵌入式系统中的临时数据存储。
5. 图形处理单元（GPU）缓存。
6. 测试测量仪器中的高速数据记录。
MT18B682K101CTG, MT18B682K101CTJ, MT18B682K101CTR
