您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > MT18B331K500CT

MT18B331K500CT 发布时间 时间:2025/6/18 23:11:13 查看 阅读:3

MT18B331K500CT是一种高性能的MOSFET功率晶体管,主要用于开关和功率放大应用。它采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关速度的特点,广泛应用于各类电力电子设备中。
  该型号属于N沟道增强型场效应晶体管(NMOS),适用于高效率电源转换、电机驱动以及负载切换等场景。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:50A
  导通电阻:1.5mΩ
  总栅极电荷:95nC
  输入电容:2840pF
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

MT18B331K500CT具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on))使其在大电流应用中能有效降低功耗。
  2. 高额定电流能力(50A)支持其在高功率场景下的稳定运行。
  3. 快速开关性能减少开关损耗,适合高频电路设计。
  4. 宽工作温度范围(-55℃至175℃)确保其在极端环境条件下的可靠性。
  5. 具备强大的抗雪崩能力和热稳定性,提升整体系统可靠性。
  6. 封装形式为TO-247,便于散热管理和安装使用。

应用

这款MOSFET器件适用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
  2. 电机控制和驱动电路中的功率级元件。
  3. 工业自动化设备中的负载切换与保护。
  4. 汽车电子系统中的高功率开关。
  5. 太阳能逆变器和其他新能源设备中的功率转换模块。
  6. 各类需要高效功率传输和控制的应用场景。

替代型号

IRF260N, STP50NF06L, FDP55N06L

MT18B331K500CT推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价