时间：2025/6/17 13:06:28
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MT18B104K250CT 是一种动态随机存取存储器 (DRAM) 芯片，属于 1Mb x 4（即 4Mb 总容量）的 DRAM 系列。它采用 CMOS 工艺制造，具备低功耗和高集成度的特点。该芯片广泛应用于需要中等容量存储的应用场景，例如工业控制、通信设备、消费电子以及嵌入式系统等。该型号支持标准的同步接口，适用于对数据读写速度有一定要求但不需要极高性能的场合。
MT18B104K250CT 的封装形式为 TSOP-II（薄型小外形封装），这种封装方式能够提供良好的电气性能并适合在空间受限的环境中使用。
容量：4Mbit
组织结构：1Mb x 4
电压范围：2.5V 至 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
访问时间：70ns
封装形式：TSOP-II
引脚数：50
工艺技术：CMOS
MT18B104K250CT 具有以下主要特性：
1. 高密度设计，能够在较小的芯片面积内实现较大的存储容量。
2. 支持自刷新功能，允许在断电或待机状态下保持数据完整性。
3. 内置温度补偿电路，确保芯片在不同环境温度下的稳定运行。
4. 提供突发模式（Burst Mode）支持，可显著提高连续数据读写的效率。
5. 符合 JEDEC 标准的接口定义，便于与其他系统组件兼容。
6. 较低的工作电压范围，有助于降低整体系统的功耗水平。
7. 广泛的工作温度范围使其适应多种严苛的应用环境。
MT18B104K250CT 可以应用于以下领域：
1. 嵌入式系统中的临时数据缓冲区。
2. 工业自动化设备中的程序存储与运行时数据缓存。
3. 通信产品中的数据包处理缓存。
4. 医疗设备的数据记录与实时处理。
5. 消费类电子产品如打印机、扫描仪等的图像处理模块。
6. 视频监控系统中的帧缓存功能。
由于其具有较低功耗和良好稳定性的特点，特别适合于便携式设备和长时间运行的固定设备中。
MT48LC16M16A2, IS42S16400F, H5TC4G63AFR-PBA
