时间：2025/6/12 1:38:17
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MT15N821J500CT是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型器件。该芯片广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器和DC-DC转换等场景中，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等优势。
这款器件采用了先进的制造工艺，确保了其在高频开关应用中的高效表现，同时具备良好的抗静电能力和稳定性。
最大漏源电压：820V
连续漏极电流：15A
导通电阻：0.5Ω
栅极电荷：48nC
开关速度：非常快
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
MT15N821J500CT具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，减少了功率损耗并提升了效率。
2. 高额定电压设计，适用于高压环境下的各类应用。
3. 出色的热稳定性，能够在极端温度条件下保持可靠运行。
4. 内置保护机制，如过流保护和短路耐受能力，提高了系统的整体安全性。
5. 小型封装选项，有助于节省PCB空间并简化设计流程。
6. 快速开关特性，非常适合高频电路设计需求。
该器件主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）及AC-DC适配器。
2. 各类工业电机驱动控制。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
4. 高效DC-DC转换模块。
5. 电动工具、家电和汽车电子设备中的功率管理单元。
6. PFC（功率因数校正）电路以及其他需要高性能功率开关的应用场景。
IRFP260N, STP15NB82E, FDP15N80Z
