型号：MT15N6R0D500CT
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装形式：TO-220
　　最大漏源电压(Vdss)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大漏极电流(Id)：15A
　　导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ(典型值，Vgs=10V)
　　总功耗(Ptot)：130W
　　工作结温范围(Tj)：-55℃至+175℃
　　栅极电荷(Qg)：25nC
　　输入电容(Ciss)：2200pF

MT15N6R0D500CT具备以下显著特性：
　　1. 低导通电阻：其典型的导通电阻仅为4.5mΩ，可显著降低传导损耗，提升系统效率。
　　2. 高开关速度：通过优化设计，降低了栅极电荷和输入电容，从而提高了开关速度，减少了开关损耗。
　　3. 热性能优异：采用TO-220封装，具备良好的散热能力，能够承受较高的功率密度。
　　4. 高可靠性：经过严格的测试和筛选，确保在极端温度条件下依然保持稳定运行。
　　5. 小型化设计：相比传统功率器件，该芯片体积更小，有助于节省电路板空间。
　　6. 宽泛的工作电压和电流范围：支持高达60V的漏源电压和15A的漏极电流，适应多种应用场景需求。

MT15N6R0D500CT适用于以下领域：
　　1. 开关电源(SMPS)：包括AC-DC适配器、充电器等，提供高效的功率转换。
　　2. 电机驱动：用于直流无刷电机、步进电机等驱动控制，实现精确的速度调节。
　　3. LED照明：作为恒流驱动的关键元件，保证LED灯具的稳定输出。
　　4. 工业自动化：如变频器、伺服控制器等设备中的功率管理模块。
　　5. 汽车电子：可用于车载充电器、逆变器等汽车相关应用中。
　　6. 可再生能源系统：例如太阳能微逆变器和风力发电系统的功率转换部分。

MT16N6R0D500CT, IRFZ44N, FDP15N6