时间：2025/6/3 16:49:25
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MT15N5R6C500CT是一款高性能的MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），主要用于功率转换和开关应用。该器件属于增强型N沟道MOSFET，采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能。
这种MOSFET广泛应用于电源管理领域，例如开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景。
型号：MT15N5R6C500CT
封装形式：TO-247
Vds（漏源极电压）：50V
Rds(on)（导通电阻）：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V时）
Id（持续漏电流）：150A
Qg（栅极电荷）：68nC
fsw（最大开关频率）：500kHz
Ptot（总功耗）：230W
结温范围：-55℃至+175℃
MT15N5R6C500CT采用了新一代超低导通电阻技术，使得其在高压下的损耗显著降低，同时保持了较低的栅极电荷，从而优化了动态性能。此外，该器件具备较高的雪崩击穿能力，增强了其在异常情况下的鲁棒性。
其封装形式为TO-247，具备良好的散热性能，适合大功率应用环境。由于其低Rds(on)设计，在高频开关条件下能够提供更高的效率，降低了系统的整体能耗。
该MOSFET还支持较宽的工作温度范围，能够在极端环境下保持稳定的性能表现。
MT15N5R6C500CT适用于多种工业和消费电子领域的应用：
- 开关模式电源（SMPS）
- 逆变器及变频器
- 电机驱动与控制
- DC-DC转换器
- 太阳能微逆变器
- 工业电源模块
- 高效功率管理电路
凭借其卓越的性能，该器件成为这些应用中的理想选择。
MT15N5R6C300CT, IRFP260N, STP150N06LL
