时间：2025/8/9 17:52:33
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FMV08N80E是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源转换和功率管理领域。该器件采用先进的平面工艺制造，具备低导通电阻、高击穿电压和良好的热稳定性，适用于各种高性能和高可靠性的应用场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：800V
栅源电压(Vgs)：±30V
连续漏极电流(Id)：8A（@25℃）
导通电阻(Rds(on))：典型值为0.95Ω
功率耗散(Pd)：50W
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-220
FMV08N80E是一款高性能的功率MOSFET，采用了先进的平面工艺技术，确保了器件的稳定性和可靠性。其高耐压特性（800V Vds）使其非常适合用于高电压应用，如开关电源、AC-DC转换器和DC-DC转换器。此外，该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)）值，典型值为0.95Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。器件的连续漏极电流为8A，在常温下能够满足多数功率应用的需求。同时，FMV08N80E具备良好的热稳定性，最大功率耗散为50W，能够在较高的环境温度下正常工作。
该MOSFET的栅源电压范围为±30V，具有较强的抗过压能力，减少了因电压波动而导致的损坏风险。其TO-220封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于在PCB上安装和使用。FMV08N80E适用于多种应用场合，包括工业控制、电源管理系统、电机驱动以及各种需要高效能功率开关的设备。
该器件常用于开关电源、AC-DC转换器、DC-DC转换器、电机驱动电路以及工业自动化控制系统中。
FQA8N80C, K2837, 2SK2837, FDPF8N80
