时间：2025/6/6 13:00:14
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MT15N4R7C500CT 是一款基于氮化镓（GaN）技术的功率晶体管，专为高频和高效率应用场景设计。该器件采用先进的 GaN 技术，具有低导通电阻、快速开关速度以及优异的热性能，适合用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等应用领域。
这款晶体管的封装形式为增强散热性能的表面贴装类型，便于在紧凑型设计中使用。由于其出色的电气特性和可靠性，MT15N4R7C500CT 成为现代高效能电力电子设备的理想选择。
型号：MT15N4R7C500CT
类型：GaN 功率晶体管
Vds（漏源电压）：650V
Rds(on)（导通电阻）：4.7mΩ
Id（持续漏极电流）：15A
Qg（总栅极电荷）：35nC
Ciss（输入电容）：1200pF
Eoss（输出电荷能量）：280nJ
Pd（最大功耗）：200W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装：TO-247
MT15N4R7C500CT 的主要特性包括：
1. 高击穿电压（650V），适用于多种高压应用场景。
2. 极低的导通电阻（4.7mΩ），显著减少导通损耗。
3. 快速开关能力，支持高达数兆赫兹的工作频率，满足高频应用需求。
4. 减少寄生电感的优化封装设计，提升整体系统效率。
5. 热阻低，能够承受更高的结温（最高达175℃），提高系统的可靠性和耐用性。
6. 内置静电保护功能，增强器件的抗干扰能力。
7. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代化电路设计中。
MT15N4R7C500CT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），如服务器电源、通信电源和工业电源。
2. DC-DC 转换器，特别适用于高效率、高密度的设计。
3. 电机驱动，提供高效的功率控制。
4. 太阳能逆变器，用于最大化能源转换效率。
5. 电动车充电设备，支持快速充电和高效能量传输。
6. LED 驱动器和其他需要高性能功率管理的场景。
MT15N5R0C650CT, GS66508T, EPC2016C
