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GA0805H563KBABT31G 发布时间 时间:2025/6/9 16:59:14 查看 阅读:27

GA0805H563KBABT31G 是一款基于 GaN(氮化镓)技术的高效率功率晶体管,属于增强型场效应晶体管 (e-mode HEMT)。该器件采用先进的封装工艺,适用于高频开关和高效能电源转换应用。其主要特点包括低导通电阻、快速开关特性和高可靠性。这种晶体管非常适合用于 DC-DC 转换器、无线充电设备、快充适配器以及各类工业电源系统。
  GaN 技术使得这款晶体管能够在更高的频率下工作,同时保持较低的能量损耗,从而实现更小尺寸、更高效率的电力电子设计。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:5A
  导通电阻:120mΩ
  栅极电荷:70nC
  反向恢复时间:<50ns
  工作温度范围:-40℃ 至 +125℃

特性

1. 基于增强型 GaN HEMT 技术,具备卓越的开关性能。
  2. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗。
  3. 快速开关速度,支持高达几 MHz 的工作频率。
  4. 小巧的封装尺寸,便于集成到紧凑型设计中。
  5. 高击穿电压(650V),适合各种高压应用场景。
  6. 提供出色的热稳定性和可靠性,确保长期运行。

应用

1. USB-PD 快速充电器及适配器
  2. 开关电源(SMPS)中的高频 DC-DC 转换
  3. 无线充电模块
  4. LED 驱动电路
  5. 消费类电子产品中的高效能电源管理
  6. 工业级 AC-DC 和 DC-DC 转换器

替代型号

GAN065-002BDA
  TX6505E
  GXT065R080B

GA0805H563KBABT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.056 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-