时间：2025/6/9 16:59:14
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GA0805H563KBABT31G 是一款基于 GaN（氮化镓）技术的高效率功率晶体管，属于增强型场效应晶体管 (e-mode HEMT)。该器件采用先进的封装工艺，适用于高频开关和高效能电源转换应用。其主要特点包括低导通电阻、快速开关特性和高可靠性。这种晶体管非常适合用于 DC-DC 转换器、无线充电设备、快充适配器以及各类工业电源系统。
GaN 技术使得这款晶体管能够在更高的频率下工作，同时保持较低的能量损耗，从而实现更小尺寸、更高效率的电力电子设计。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：5A
导通电阻：120mΩ
栅极电荷：70nC
反向恢复时间：<50ns
工作温度范围：-40℃ 至 +125℃
1. 基于增强型 GaN HEMT 技术，具备卓越的开关性能。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗。
3. 快速开关速度，支持高达几 MHz 的工作频率。
4. 小巧的封装尺寸，便于集成到紧凑型设计中。
5. 高击穿电压（650V），适合各种高压应用场景。
6. 提供出色的热稳定性和可靠性，确保长期运行。
1. USB-PD 快速充电器及适配器
2. 开关电源（SMPS）中的高频 DC-DC 转换
3. 无线充电模块
4. LED 驱动电路
5. 消费类电子产品中的高效能电源管理
6. 工业级 AC-DC 和 DC-DC 转换器
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