MT15N330F500CT 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的功率晶体管,专为高频和高效率应用场景设计。该器件采用了先进的增强型 GaN FET 结构,具备低导通电阻和快速开关速度的特点,可显著提升电源转换系统的性能。
该型号属于 MT 系列,适合用于工业、通信及消费类电子设备中的开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用。其封装形式为表面贴装,有助于提高散热性能和简化 PCB 布局。
额定电压:650V
额定电流:33A
导通电阻:15mΩ
栅极电荷:85nC
反向恢复时间:无(由于 GaN 的特性)
工作温度范围:-40℃ 至 +125℃
封装形式:TO-247
MT15N330F500CT 具有以下显著特性:
1. 高效性能:得益于 GaN 材料的高电子迁移率,该器件能够在高频条件下保持较低的开关损耗和传导损耗。
2. 快速开关能力:其开关速度远超传统硅基 MOSFET,适用于高频电路。
3. 小尺寸与轻量化:相比传统的 Si 器件,GaN 功率晶体管能够减少系统体积并优化整体设计。
4. 高可靠性:经过严格的测试验证,确保在恶劣环境下的稳定运行。
5. 简化热管理:由于低导通电阻和高效率,器件产生的热量较少,从而降低了对额外散热器的需求。
MT15N330F500CT 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS):
- 服务器电源
- 工业电源
2. DC-DC 转换器:
- 汽车电子
- 通信基站
3. 电机驱动:
- 家用电器
- 工业自动化
4. 太阳能逆变器:
- 分布式发电系统
- 微型逆变器
此外,它还可用于 UPS 和无线充电设备等场景。
MT15N330F550CT, MT15N330F600CT