时间：2025/6/9 9:33:30
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MT15N2R7B500CT 是一款基于硅基材料制造的高压 N 沩道功率场效应晶体管（Power MOSFET），主要用于高电压、高效率应用场合。该器件采用了先进的沟槽式工艺技术，优化了导通电阻与开关性能之间的平衡，从而在各种功率转换和电机驱动应用中表现出色。
该型号适用于工业、汽车及消费类电子领域中的多种电路设计，例如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器等。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：15A
导通电阻（典型值）：2.7mΩ
栅极电荷（Qg）：45nC
输入电容（Ciss）：3800pF
输出电容（Coss）：390pF
反向恢复时间（Tr）：13ns
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-247
这款 MOSFET 具备以下关键特性：
1. 高耐压能力（500V），适合应用于高压系统中。
2. 极低的导通电阻（2.7mΩ），能够有效降低传导损耗，提高系统效率。
3. 快速开关性能，栅极电荷较小（45nC），有助于减少开关损耗。
4. 小型化的寄生电容设计，进一步提升了高频操作下的表现。
5. 工作温度范围宽广（-55℃ 至 +150℃），适应恶劣环境条件。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
MT15N2R7B500CT 的典型应用场景包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（Switch Mode Power Supply, SMPS），如适配器、充电器等。
2. DC-DC 转换器，在新能源汽车或工业设备中实现高效电压转换。
3. 电机驱动控制，支持无刷直流电机（BLDC）或步进电机的精确驱动。
4. 逆变器，用于太阳能发电系统或不间断电源（UPS）中。
5. 各种工业自动化设备中的功率管理模块。
IRFP460, STP15NM50, FQA15N50E
