时间：2025/6/21 18:50:02
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MT15N1R8C500CT 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于需要高效能功率转换的应用场景。
这款 MOSFET 的封装形式为 TO-247，支持高电流和高电压操作，广泛应用于电源管理、电机驱动以及工业控制等领域。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：15A
导通电阻：80mΩ
栅极电荷：65nC
总电容：320pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
MT15N1R8C500CT 具有出色的电气性能和可靠性。其低导通电阻设计有助于减少传导损耗，从而提高整体效率。此外，该器件具备快速开关能力，可有效降低开关损耗。
其耐压高达 500V，适合高压应用环境。同时，该 MOSFET 在高温条件下依然能够保持稳定的性能表现，适应多种复杂工况需求。
该器件还具有较强的抗雪崩能力，能够在异常情况下保护电路不受损坏。其 TO-247 封装提供了良好的散热性能，确保长期运行时的稳定性。
MT15N1R8C500CT 广泛用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器
2. 工业电机驱动和伺服系统
3. 太阳能逆变器及储能设备
4. 电动汽车充电装置
5. 高压负载切换和保护电路
该器件因其高效能和高可靠性，成为许多高要求应用场景的理想选择。
MT16N1R8C500CT, IRF840, STP15NF50
