时间：2025/6/19 10:06:11
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MT15N1R2C500CT 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，专为高频、高效能应用而设计。该器件采用了先进的 GaN 工艺技术，能够提供卓越的开关性能和低导通电阻，非常适合用于电源转换器、逆变器以及射频放大器等应用。
其封装形式为表面贴装类型，有助于提高散热效率并简化电路板设计。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：18A
导通电阻：3.5mΩ
栅极电荷：90nC
反向恢复电荷：0nC
工作结温范围：-55℃至+175℃
1. 超低导通电阻：该器件具备 3.5mΩ 的低导通电阻，从而降低了传导损耗，提升了整体效率。
2. 高开关频率：得益于氮化镓技术，MT15N1R2C500CT 支持高达 MHz 级别的开关频率，使得设计更小型化的功率模块成为可能。
3. 出色的热性能：通过优化的封装设计，该晶体管可有效散发热量，确保在高温环境下稳定运行。
4. 快速开关速度：低栅极电荷和零反向恢复电荷特性，减少了开关损耗，进一步提高了系统效率。
5. 宽温度范围：支持从 -55°C 到 +175°C 的工作温度区间，适应各种恶劣环境。
1. 开关模式电源 (SMPS)
2. 电机驱动及逆变器
3. 数据中心供电单元
4. 新能源汽车中的车载充电器 (OBC) 和 DC/DC 转换器
5. 射频功率放大器
6. 太阳能微型逆变器
MT15N1R2C650CT, GS66508T, EPC2045
