时间：2025/6/3 16:48:49
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MT15N1R2B500CT 是一款基于硅材料的 N 沟道增强型 MOSFET 芯片，主要应用于高频开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等场景。该芯片采用先进的封装技术和优化的栅极驱动设计，具有较低的导通电阻 (Rds(on)) 和快速的开关性能，可显著提高系统效率并降低功耗。
这款器件的工作电压范围较广，适合多种工业及消费类电子应用。同时，其出色的热特性和可靠性使得它在高功率密度的设计中表现出色。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：15A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：35nC
总电容：2200pF
工作温度范围：-55°C 至 175°C
MT15N1R2B500CT 具有以下突出特性：
1. 极低的导通电阻，能够有效减少功率损耗。
2. 高击穿电压（500V），确保在高压环境下的稳定运行。
3. 快速开关能力，支持高频操作以适应现代高效电源转换需求。
4. 紧凑的封装形式，节省印刷电路板空间。
5. 宽泛的工作温度范围，适应恶劣环境下的使用。
6. 出色的热性能，有助于提升长期使用的可靠性和稳定性。
7. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
MT15N1R2B500CT 广泛适用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. DC-DC 转换器，特别是隔离式和非隔离式拓扑结构。
3. 电机驱动与控制电路，包括步进电机和无刷直流电机。
4. 工业自动化设备中的负载开关。
5. 太阳能逆变器和其他新能源相关产品。
6. 电动汽车和混合动力汽车的动力管理系统。
7. 各种需要高效、高可靠性电力电子解决方案的场合。
MT15N1R2B500FT, IRFP460, STP15NM50N
