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MT15N1R2B500CT 发布时间 时间:2025/6/3 16:48:49 查看 阅读:5

MT15N1R2B500CT 是一款基于硅材料的 N 沟道增强型 MOSFET 芯片,主要应用于高频开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等场景。该芯片采用先进的封装技术和优化的栅极驱动设计,具有较低的导通电阻 (Rds(on)) 和快速的开关性能,可显著提高系统效率并降低功耗。
  这款器件的工作电压范围较广,适合多种工业及消费类电子应用。同时,其出色的热特性和可靠性使得它在高功率密度的设计中表现出色。

参数

最大漏源电压:500V
  连续漏极电流:15A
  导通电阻:1.2mΩ
  栅极电荷:35nC
  总电容:2200pF
  工作温度范围:-55°C 至 175°C

特性

MT15N1R2B500CT 具有以下突出特性:
  1. 极低的导通电阻,能够有效减少功率损耗。
  2. 高击穿电压(500V),确保在高压环境下的稳定运行。
  3. 快速开关能力,支持高频操作以适应现代高效电源转换需求。
  4. 紧凑的封装形式,节省印刷电路板空间。
  5. 宽泛的工作温度范围,适应恶劣环境下的使用。
  6. 出色的热性能,有助于提升长期使用的可靠性和稳定性。
  7. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。

应用

MT15N1R2B500CT 广泛适用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
  2. DC-DC 转换器,特别是隔离式和非隔离式拓扑结构。
  3. 电机驱动与控制电路,包括步进电机和无刷直流电机。
  4. 工业自动化设备中的负载开关。
  5. 太阳能逆变器和其他新能源相关产品。
  6. 电动汽车和混合动力汽车的动力管理系统。
  7. 各种需要高效、高可靠性电力电子解决方案的场合。

替代型号

MT15N1R2B500FT, IRFP460, STP15NM50N

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MT15N1R2B500CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.09611卷带(TR)
  • 系列MT
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1.2 pF
  • 容差±0.1pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-