H5AN8G8NAFR-VJC 是由SK Hynix(海力士)生产的一款NAND闪存芯片。这款芯片广泛应用于需要大容量存储和高性能读写速度的设备中,例如智能手机、平板电脑、固态硬盘(SSD)以及嵌入式系统。该芯片采用先进的制造工艺,具备较高的存储密度和可靠性,适用于现代电子设备对存储性能的高要求。
容量:8GB
接口类型:ONFI 3.0
电压:2.5V - 3.3V
封装类型:TSOP
工作温度:0°C至+70°C
读取速度:最高可达50MB/s
写入速度:最高可达30MB/s
H5AN8G8NAFR-VJC NAND闪存芯片具有多项显著的特性,首先是其8GB的存储容量,这使其适用于需要较大存储空间的应用场景。其次,该芯片支持ONFI 3.0接口标准,提供了较高的数据传输速率,读取速度最高可达50MB/s,写入速度最高可达30MB/s,能够满足对数据读写性能要求较高的设备需求。
此外,H5AN8G8NAFR-VJC采用TSOP封装形式,具有较小的封装体积,便于在空间受限的设备中使用。其工作电压范围为2.5V至3.3V,适应性强,能够在不同电源条件下稳定工作。工作温度范围为0°C至+70°C,适用于大多数消费类电子产品和工业设备的应用环境。
H5AN8G8NAFR-VJC NAND闪存芯片主要应用于各种需要大容量存储和高性能读写能力的电子设备中。例如,它可以用于智能手机和平板电脑中的存储模块,提供快速的数据读写能力和较大的存储空间。在固态硬盘(SSD)中,该芯片可以作为存储介质,提高SSD的存储密度和性能表现。
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