MT15N150J500CT 是一款由 MicroTec 制造的 N 沟道 MOSFET 功率晶体管。该器件采用先进的半导体工艺技术设计,适用于高电压、大电流的应用场景,具有较低的导通电阻和较高的开关速度。
其主要功能是在电力电子系统中作为开关或放大器使用,能够有效控制电路中的电流流动并实现能量转换或信号处理。
型号:MT15N150J500CT
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS):1500V
最大栅源电压(VGS):±20V
持续漏极电流(ID):50A
导通电阻(RDS(on)):0.18Ω
功耗(PD):100W
结温范围(TJ):-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-247
MT15N150J500CT 具有以下显著特性:
1. 高耐压能力,适合在高压环境下工作。
2. 较低的导通电阻,减少了功率损耗,提高了效率。
3. 快速开关特性,支持高频应用。
4. 热稳定性强,能够在宽泛的工作温度范围内保持性能。
5. 可靠性高,经过严格的测试和筛选流程,确保长期稳定运行。
6. 封装坚固耐用,便于散热和安装。
这款功率 MOSFET 广泛应用于以下领域:
1. 工业电机驱动及控制。
2. 开关电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器。
3. 新能源逆变器和光伏系统。
4. 电动汽车(EV) 和混合动力汽车(HEV) 的电控单元。
5. 不间断电源(UPS) 系统。
6. 大功率 LED 驱动器和其他需要高效能量转换的场合。
MT15N150J400CT, IRFP260N, STP50NF150