时间：2025/5/29 10:24:15
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MT15N101J500CT是一款基于硅技术的N沟道增强型MOSFET晶体管。该器件由Microchip Technology公司生产，广泛用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及负载切换等应用领域。这款MOSFET采用TO-220封装形式，具有出色的导通电阻和开关性能，能够显著降低系统功耗并提高效率。
该器件通过优化的工艺设计实现了低导通电阻（Rds(on)）和较低的栅极电荷（Qg），从而在高频开关应用中表现出优异的性能。此外，其坚固的设计使其能够在严苛的工作环境下保持高可靠性。
最大漏源电压：100V
最大连续漏极电流：15A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：39nC
总电容：180pF
工作温度范围：-55℃至+175℃
1. 低导通电阻（Rds(on)），可有效减少功率损耗。
2. 高电流处理能力，适用于大功率应用。
3. 较低的栅极电荷，有助于实现更快的开关速度。
4. 宽工作温度范围，确保在极端环境下的稳定运行。
5. TO-220标准封装，便于安装和散热管理。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. DC-DC转换器中的同步整流元件。
4. 负载切换及保护电路中的开关元件。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 汽车电子系统中的功率分配与控制组件。
IRFZ44N, FQP50N06L, STP16NF06
