类型：P 沟道 MOSFET
　　漏源电压 (Vds)：30 V
　　栅源电压 (Vgs)：±20 V
　　连续漏极电流 (Id)：4.4 A
　　导通电阻 (Rds(on))：52 mΩ @ Vgs = -10 V
　　导通电阻 (Rds(on))：80 mΩ @ Vgs = -4.5 V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-223

MSTS4441C 具备多项关键特性，使其在众多功率 MOSFET 中脱颖而出。
　　首先，其低导通电阻 Rds(on) 在不同栅极电压下均表现出色，在 Vgs = -10 V 时仅 52 mΩ，而在较低的 Vgs = -4.5 V 下也仅为 80 mΩ，这意味着在实际应用中可以显著降低功率损耗并提高系统效率。
　　其次，该器件采用了先进的 Trench 结构技术，优化了电场分布，提高了器件的击穿电压能力和稳定性，同时减少了寄生电容，从而提升了开关速度和动态性能。
　　再者，MSTS4441C 的最大漏源电压为 30 V，支持高达 ±20 V 的栅极电压，具有较强的过压耐受能力，适用于多种电源管理场景。
　　此外，其最大连续漏极电流可达 4.4 A，在 SOT-223 封装下具备良好的散热性能，适合在紧凑空间内使用而不影响可靠性。
　　最后，该 MOSFET 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适应广泛的工业环境，包括高温和低温条件下的应用。

MSTS4441C 广泛应用于多个领域，尤其适合需要高效功率控制的场合。
　　在电源管理系统中，它常用于 DC-DC 转换器、负载开关和稳压模块，凭借其低导通电阻和快速开关特性，可有效提升整体能效。
　　在电池供电设备中，例如笔记本电脑、平板电脑和便携式电子设备，MSTS4441C 可作为理想的背靠背开关或电池保护电路的一部分，确保电池的安全使用与延长续航时间。
　　此外，该器件也适用于汽车电子系统，如车载充电器、LED 照明驱动和车身控制模块，其宽工作温度范围和可靠性能满足汽车行业的严苛要求。
　　在工业自动化和通信设备中，MSTS4441C 也广泛用于电机驱动、传感器电源管理和配电系统中，提供稳定可靠的功率控制解决方案。

Si4463BDY, NDS355AN, FDS6675