GA0402A181FXAAP31G 是一款由 ON Semiconductor 提供的高速光耦合器,广泛应用于工业和通信领域。该器件采用 GaAs 发光二极管和硅光电晶体管配对设计,能够在高噪声环境下提供可靠的信号隔离。其封装形式为 DIP-4,具有出色的共模抑制能力以及良好的温度稳定性。
这款光耦主要用于电气隔离、信号传输等场景,并能够有效防止外部干扰对系统的影响。
型号:GA0402A181FXAAP31G
制造商:ON Semiconductor
类型:高速光耦合器
封装:DIP-4
输入电流(IF):16mA
输出集电极电流(IC):50mA
工作温度范围:-40℃ 至 +110℃
隔离电压:5300Vrms
上升时间:2μs
下降时间:1.5μs
传播延迟:4.5μs
GA0402A181FXAAP31G 的主要特点包括:
1. 高速性能:具备快速的响应时间,适用于需要高频率信号传输的应用。
2. 强大的抗干扰能力:通过电气隔离设计,可以有效屏蔽外部电磁干扰。
3. 广泛的工作温度范围:即使在极端条件下也能保持稳定运行。
4. 低功耗:在保证性能的同时降低了系统的能耗需求。
5. 长寿命:采用高品质材料制造,确保长期使用的可靠性。
该芯片适用于以下领域:
1. 工业控制设备中的信号隔离与传输。
2. 通信系统中的数据链路保护。
3. 医疗仪器中对安全性和可靠性的要求较高的部分。
4. 家用电器及消费类电子产品内的电源管理模块。
5. 测量仪表和自动化系统中的关键组件。
HCPL-263L, ILD212T-7P, TLP291-4