您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA0402A181FXAAP31G

GA0402A181FXAAP31G 发布时间 时间:2025/5/26 21:27:25 查看 阅读:12

GA0402A181FXAAP31G 是一款由 ON Semiconductor 提供的高速光耦合器,广泛应用于工业和通信领域。该器件采用 GaAs 发光二极管和硅光电晶体管配对设计,能够在高噪声环境下提供可靠的信号隔离。其封装形式为 DIP-4,具有出色的共模抑制能力以及良好的温度稳定性。
  这款光耦主要用于电气隔离、信号传输等场景,并能够有效防止外部干扰对系统的影响。

参数

型号:GA0402A181FXAAP31G
  制造商:ON Semiconductor
  类型:高速光耦合器
  封装:DIP-4
  输入电流(IF):16mA
  输出集电极电流(IC):50mA
  工作温度范围:-40℃ 至 +110℃
  隔离电压:5300Vrms
  上升时间:2μs
  下降时间:1.5μs
  传播延迟:4.5μs

特性

GA0402A181FXAAP31G 的主要特点包括:
  1. 高速性能:具备快速的响应时间,适用于需要高频率信号传输的应用。
  2. 强大的抗干扰能力:通过电气隔离设计,可以有效屏蔽外部电磁干扰。
  3. 广泛的工作温度范围:即使在极端条件下也能保持稳定运行。
  4. 低功耗:在保证性能的同时降低了系统的能耗需求。
  5. 长寿命:采用高品质材料制造,确保长期使用的可靠性。

应用

该芯片适用于以下领域:
  1. 工业控制设备中的信号隔离与传输。
  2. 通信系统中的数据链路保护。
  3. 医疗仪器中对安全性和可靠性的要求较高的部分。
  4. 家用电器及消费类电子产品内的电源管理模块。
  5. 测量仪表和自动化系统中的关键组件。

替代型号

HCPL-263L, ILD212T-7P, TLP291-4

GA0402A181FXAAP31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容180 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.024"(0.60mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-