MSP0200S是一款由Mitsubishi Electric(三菱电机)制造的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的沟槽栅极技术,提供低导通电阻和高效率的性能,适用于如电源转换、电机控制、电池管理系统等需要高可靠性和高效能的场合。MSP0200S具有高耐压能力,适用于需要处理大电流和高电压的工业和汽车应用。
型号:MSP0200S
类型:N沟道MOSFET
漏极-源极电压(Vds):200V
栅极-源极电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):140A(在Tc=25℃)
功耗(Pd):300W
工作温度范围:-55℃至+150℃
存储温度范围:-55℃至+150℃
封装形式:TO-247
导通电阻(Rds(on)):典型值为5.0mΩ(最大值为6.5mΩ)
栅极电荷(Qg):170nC(典型值)
输入电容(Ciss):3300pF(典型值)
MSP0200S具有多项卓越的电气和物理特性,使其适用于高功率和高效率的应用。首先,其低导通电阻(Rds(on))确保在高电流操作下具有较小的功率损耗,提高了整体系统的效率。其次,MSP0200S采用了先进的沟槽栅极技术和优化的硅片设计,使其具备更高的开关速度和更低的开关损耗,这在高频开关应用中尤为重要。
此外,MSP0200S的高耐压能力(200V Vds)使其适用于高压电源转换系统,如DC-DC转换器、逆变器和UPS系统。该器件的高电流承载能力(高达140A)也使其在电机控制和高功率负载管理中表现出色。
在可靠性方面,MSP0200S采用了坚固的TO-247封装形式,具有良好的热管理和机械稳定性,能够在恶劣的工作环境中保持稳定性能。同时,该器件的栅极驱动电压范围较宽(±20V),使其兼容多种驱动电路设计,提升了设计的灵活性。
最后,MSP0200S还具备优异的短路耐受能力,能够承受短暂的过载和异常工况,从而提高了系统的鲁棒性和安全性。这些特性使其成为工业电源、电动汽车、可再生能源系统等领域的理想选择。
MSP0200S广泛应用于需要高功率密度和高效能的电子系统中。在电源管理领域,MSP0200S可用于高性能DC-DC转换器、AC-DC电源模块和高功率开关电源,提供高效的能量转换能力。在电机控制方面,该器件适用于无刷直流电机(BLDC)驱动器、伺服电机控制系统和工业自动化设备中的功率开关。
在新能源领域,MSP0200S可应用于电动汽车的车载充电器(OBC)、电池管理系统(BMS)以及太阳能逆变器等设备,支持高效率的能量转换和稳定的系统运行。此外,MSP0200S还可用于不间断电源(UPS)系统、工业变频器和电能质量调节设备,满足对高可靠性和高效能的严格要求。
由于其高耐压、低导通电阻和高电流容量,MSP0200S在各类高功率电子系统中表现出色,是工业、汽车和新能源领域的重要功率器件。
IRFP260N, IXFN140N20T, FDPF260N, APT50M20B3