类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：100 V
　　连续漏极电流（ID）：110 A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（IDM）：390 A
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻 RDS(on) max：4.3 mΩ @ VGS = 10 V, ID = 55 A
　　导通电阻 RDS(on) max：5.3 mΩ @ VGS = 4.5 V, ID = 36 A
　　阈值电压（Vth）：2.1 V ~ 3.0 V
　　输入电容（Ciss）：7000 pF @ VDS = 50 V
　　输出电容（Coss）：1900 pF @ VDS = 50 V
　　反向恢复时间（trr）：28 ns
　　最大功耗（Ptot）：200 W
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C ~ +175 °C
　　封装：PG-TSDSON-8

MSMF110 MOSFET的核心特性之一是其极低的导通电阻RDS(on)，在VGS = 10 V时典型值仅为4.3 mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统的整体能效。这一特性使其特别适用于大电流应用场景，如电动车辆的车载充电机（OBC）、DC-DC变换器及工业电源模块。由于采用了英飞凌先进的沟道设计和制造工艺，该器件在高温环境下仍能维持稳定的电气性能，确保长时间运行中的可靠性。
　　另一个关键优势是其出色的开关特性。MSMF110具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qsw），这意味着在高频开关操作中所需的驱动能量更少，从而减少了开关损耗并允许更高的工作频率。这对于提高电源系统的功率密度至关重要，尤其是在紧凑型设计中需要减少磁性元件体积的情况下。同时，较低的开关损耗也有助于降低温升，延长系统寿命。
　　该器件还具备良好的热性能。其PG-TSDSON-8封装采用裸露焊盘设计，可通过PCB有效散热，实现优异的热阻管理（RthJC ≈ 0.6 K/W）。这种封装不仅节省空间，还能满足严苛的热管理需求，适用于高功率密度应用。此外，器件经过AEC-Q101认证，证明其在温度循环、湿度、机械振动等恶劣条件下仍能稳定工作，因此广泛用于汽车电子系统，如电动助力转向（EPS）、电池管理系统（BMS）和车载加热器控制。
　　安全性方面，MSMF110集成了过温保护机制的物理基础——正温度系数的RDS(on)，即随着结温升高，导通电阻增大，自然限制了电流的进一步上升，有助于防止热失控。同时，其快速体二极管支持在感性负载切换过程中提供有效的续流路径，减少电压尖峰和电磁干扰（EMI），提升系统鲁棒性。综合来看，MSMF110是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于现代高效能电力电子系统的设计需求。

MSMF110广泛应用于多个高功率、高效率要求的领域。在汽车电子中，它常用于电动车辆的动力控制系统，如车载充电机（OBC）、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）中的预充电路或主开关，以及电动助力转向（EPS）和电加热系统。得益于其AEC-Q101车规认证和优良的热稳定性，该器件能够在极端温度和振动环境下长期可靠运行。
　　在工业电源领域，MSMF110被用于服务器电源、通信电源、UPS不间断电源和工业电机驱动器中，作为同步整流开关或主功率开关使用。其低RDS(on)和高电流承载能力可有效减少能量损耗，提高电源转换效率，满足80 PLUS钛金等高效能标准的要求。
　　此外，该器件也适用于消费类高端电源产品，如大功率适配器、游戏主机电源模块和LED照明驱动电源。在这些应用中，小型化和高效率是关键指标，而MSMF110的小尺寸封装和优异电气性能正好契合这些需求。
　　在可再生能源系统中，如太阳能微逆变器和储能系统中的双向变换器，MSMF110同样表现出色。其快速开关能力和低开关损耗有助于提升系统整体效率，并支持高频软开关拓扑结构的应用。总之，MSMF110凭借其高性能参数和高可靠性，已成为多种现代电力电子系统中的理想选择。

BSC110N10NS5
　　IPB011N10S3L-02
　　SQJ998EP