MM30FU060B 时间：2025/7/2 12:43:47 阅读：5

MM30FU060B是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要用于功率转换、电机驱动以及负载开关等应用中。其封装形式为TO-252（DPAK），具有低导通电阻和高效率的特点，适用于消费电子、工业设备以及汽车电子领域。
　　该MOSFET采用先进的制造工艺，在保证高性能的同时降低了功耗，非常适合需要高效功率管理的系统设计。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：30A
　　导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ
　　栅极电荷：10nC
　　总电容（Ciss）：1800pF
　　结温范围：-55℃至+175℃
　　工作温度范围：-55℃至+150℃

特性

MM30FU060B具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可以减少功率损耗并提高系统效率。
　　2. 高电流承载能力，适合大功率应用场景。
　　3. 快速开关速度，有助于降低开关损耗。
　　4. 优异的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。
　　5. 小尺寸封装（TO-252/DPAK），节省PCB空间。
　　6. 符合RoHS标准，环保且无铅设计。

应用

这款MOSFET广泛应用于以下场景：
　　1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
　　2. 电机驱动电路中的半桥或全桥配置。
　　3. 汽车电子系统中的负载切换与控制。
　　4. LED照明驱动器中的电流调节。
　　5. 电池管理系统（BMS）中的保护开关。
　　6. 各类消费电子产品中的高效功率管理模块。