MSM6125-CP90-V6685-8TR 是一款由OKI Semiconductor(现为Lapis Semiconductor)生产的低功耗、高性能的CMOS静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片广泛用于需要高速数据存取和低功耗的应用场景,例如工业控制、通信设备、嵌入式系统和消费电子产品。该SRAM芯片采用CMOS技术制造,提供高速读写能力,并具有较低的功耗特性,适合电池供电和高可靠性应用。
容量:8K x 8位
电压范围:2.3V 至 3.6V
访问时间:10ns(最大)
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
封装引脚数:28引脚
功耗:典型值 5mA(待机模式下 <10μA)
数据保持电压:1.0V(在待机模式下)
MSM6125-CP90-V6685-8TR SRAM芯片具备多项显著特性,使其适用于广泛的高性能存储应用。首先,其高速访问时间为10ns,能够满足高速数据处理的需求,适用于需要快速响应的系统。其次,该芯片支持宽电压范围(2.3V至3.6V),增强了其在不同电源条件下的兼容性和稳定性。此外,MSM6125-CP90-V6685-8TR具有低功耗设计,在典型工作模式下电流仅为5mA,而在待机模式下功耗更是降低至10μA以下,适用于需要节能和延长电池寿命的应用。该芯片还具备数据保持功能,在电压降至1.0V时仍可保持存储数据,确保在低电量情况下数据不会丢失。其封装采用28引脚TSOP封装,体积小巧,便于在紧凑型电子设备中使用。此外,该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C,适应各种恶劣环境条件,适用于工业级和车载电子系统。
MSM6125-CP90-V6685-8TR SRAM芯片主要应用于需要高速、低功耗存储解决方案的系统中。例如,在工业控制设备中,该芯片可用于缓存数据和临时存储程序代码,提高系统响应速度。在通信设备中,MSM6125-CP90-V6685-8TR可作为高速缓冲存储器,用于处理实时数据流。此外,该芯片还适用于嵌入式系统、便携式消费电子产品(如手持终端、智能卡读卡器)和车载电子模块,提供可靠的存储支持。由于其宽电压范围和宽工作温度范围,该芯片特别适合用于需要稳定性和可靠性的恶劣环境应用,如车载导航系统、安防监控设备以及远程传感装置。
ISSI IS61LV25616A-10B4I;Cypress CY62148E;Microchip 23K256;ON Semiconductor N25Q128A