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SI4201-BMR 发布时间 时间:2025/5/7 13:55:52 查看 阅读:6

SI4201-BMR是一款由Vishay公司生产的N沟道MOSFET功率晶体管。该器件采用了小型化的DFN8封装,具备较低的导通电阻和较高的开关速度,非常适合于需要高效能和小尺寸的应用场景。其额定电压为60V,适用于广泛的电源管理和信号切换应用。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:3.7A
  导通电阻(典型值):55mΩ
  栅极电荷:13nC
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:DFN8

特性

SI4201-BMR具有低导通电阻的特点,可以显著降低功率损耗并提高系统效率。此外,其快速的开关速度和较小的寄生电容使其非常适合高频开关应用。器件的小型化封装使得它在空间受限的设计中非常有优势。同时,其高雪崩能力和稳健的ESD保护特性确保了可靠性和耐用性。
  该器件还具有以下特点:
  - 低导通电阻,有助于减少发热
  - 高开关速度,适合高频DC-DC转换器
  - 小型封装,节省PCB空间
  - 广泛的工作温度范围,适应恶劣环境
  - 内置ESD保护,增强可靠性

应用

SI4201-BMR广泛应用于便携式电子设备、计算机外设、通信设备以及工业控制领域。具体应用包括但不限于:
  - DC-DC转换器中的开关元件
  - 同步整流电路
  - 负载开关
  - 电池管理模块
  - 电机驱动控制
  - 开关电源(SMPS)中的功率级元件

替代型号

SI4202DS, BSC016N06NS3, FDN340P

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