MSM-8655-1-904PNSP-TR-04-1 是一款由 Broadcom(安华高)制造的射频(RF)开关芯片,广泛用于无线通信系统中,以实现信号路径的切换功能。这款芯片采用高电子迁移率晶体管(HEMT)技术,提供高性能和低插入损耗,适用于多频段、多模式的通信设备。
类型:射频开关
工作频率:DC 至 4 GHz
阻抗:50Ω
插入损耗:典型值 0.35 dB(在 2.5 GHz)
隔离度:典型值 20 dB(在 2.5 GHz)
功率处理能力:+30 dBm
VSWR:1.3:1
供电电压:3.3 V 或 5 V
控制电压:1.8 V 至 5 V 兼容
封装类型:QFN(4x4 mm)
MSM-8655-1-904PNSP-TR-04-1 是一款单刀双掷(SPDT)射频开关,具备出色的射频性能和高可靠性。其采用的 GaAs HEMT 技术确保了在高频下的稳定操作,并提供低插入损耗和高线性度。该芯片支持宽频率范围(DC 至 4 GHz),适用于多种无线通信标准,包括 GSM、CDMA、WCDMA、LTE 和 Wi-Fi。此外,该芯片具有低功耗特性,适合电池供电设备。其封装尺寸为 4x4 mm 的 QFN,便于集成到紧凑型设计中,并具有良好的热管理和机械稳定性。该芯片还提供 1.8 V 至 5 V 的控制电压兼容性,使其能够与多种数字控制器无缝连接。
此外,该芯片具备出色的功率处理能力,可承受高达 +30 dBm 的输入功率,从而适用于高功率应用。其高隔离度(典型值 20 dB)确保在不同信号路径之间有效隔离,减少串扰和干扰。VSWR 值为 1.3:1,表明其良好的阻抗匹配性能,有助于降低信号反射并提高系统效率。
MSM-8655-1-904PNSP-TR-04-1 主要用于各种无线通信设备,包括蜂窝基站、Wi-Fi 路由器、射频测试设备、智能天线系统和便携式通信设备。由于其支持多频段操作,因此非常适合用于多模通信系统,如 LTE 和 5G 设备。此外,该芯片还可用于射频前端模块(FEM)、天线开关模块(ASM)和射频开关矩阵设计。在物联网(IoT)设备和工业通信设备中,该芯片可实现高效的射频信号切换,提高系统性能和可靠性。
AV241030、PE42642、HMC642、ADG904、RF1251