工作频率范围：2 GHz - 6 GHz
　　插入损耗：典型值0.45 dB
　　隔离度：典型值25 dB
　　工作电压：3.3 V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：16引脚QFN（4mm x 4mm）

MSM-8260-1-976NSP-TR-02-0-AA 射频开关芯片采用了先进的 GaAs pHEMT 技术，确保了在高频段的稳定性能。其低插入损耗和高隔离度使其成为多频段无线通信设备的理想选择。该芯片内部集成了控制逻辑，支持高速切换功能，并且具备良好的线性度和功率处理能力，非常适合用于 4G LTE、Wi-Fi 和其他宽带无线应用。
　　此外，该器件采用了紧凑的 16 引脚 QFN 封装，尺寸仅为 4mm x 4mm，适合空间受限的设计。其工作电压为 3.3V，支持标准的数字控制信号，兼容 CMOS/TTL 电平，便于与主控芯片连接。在极端温度环境下，该芯片依然能保持稳定的性能，适用温度范围为 -40°C 至 +85°C，确保了在各种工业应用中的可靠性。
　　该芯片还具备优异的 ESD（静电放电）防护能力，能够承受高达 2kV 的 HBM（人体模型）静电放电，从而提高产品的耐用性和使用寿命。由于其高度集成的设计和出色的电气性能，MSM-8260-1-976NSP-TR-02-0-AA 在无线基础设施、便携式通信设备和射频测试设备中得到了广泛应用。

MSM-8260-1-976NSP-TR-02-0-AA 主要用于各种高频通信设备，包括但不限于 4G LTE 基站、Wi-Fi 6 接入点、无线测试设备、便携式通信终端和射频信号路由系统。该芯片的高频率范围和稳定性能使其成为现代无线通信系统中不可或缺的组件。

HMC649A, PE4259