时间：2025/8/2 4:56:26
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MSJU07N65A-TP是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于各种功率电子设备中。该器件采用先进的沟槽式工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。MSJU07N65A-TP适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电池管理系统等应用。该器件采用TO-252（DPAK）封装，便于安装和散热。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：650V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：7A
功耗（Pd）：83W
工作温度范围：-55°C至150°C
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.45Ω
栅极电荷（Qg）：典型值为15nC
输入电容（Ciss）：典型值为900pF
封装形式：TO-252（DPAK）
MSJU07N65A-TP功率MOSFET具有多项优异特性，使其在各种功率应用中表现出色。首先，其高耐压能力（650V漏源电压）使其适用于高电压系统，如电源适配器、充电器和工业控制设备。其次，该器件的低导通电阻（Rds(on)）典型值为0.45Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率，并减少发热。
此外，MSJU07N65A-TP采用了先进的沟槽式MOSFET工艺，提供快速的开关性能，减少开关损耗，提高整体能效。该器件的栅极电荷（Qg）较低（典型值为15nC），有利于高频操作，适用于开关电源（SMPS）和DC-DC转换器等应用。输入电容（Ciss）为900pF，降低了驱动电路的负担，提高系统的响应速度。
TO-252（DPAK）封装提供了良好的热管理性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定工作。该封装形式适用于表面贴装工艺，便于自动化生产和焊接。MSJU07N65A-TP的工作温度范围为-55°C至150°C，适用于宽温度范围的应用环境，如汽车电子、工业自动化和消费类电子产品。
该器件的可靠性高，具有较强的抗静电能力和过温保护特性，能够在严苛的环境中稳定运行。此外，MSJU07N65A-TP的标准化封装和引脚定义，使其在替换或升级电路时具有良好的兼容性。
MSJU07N65A-TP功率MOSFET广泛应用于多个领域，包括但不限于以下方面：电源管理系统，如AC-DC和DC-DC转换器；电机驱动和控制电路，用于机器人、自动化设备和工业机械；电池管理系统（BMS），用于电动汽车、储能系统和便携式电子设备；照明控制系统，如LED驱动器和智能照明设备；家用电器，如变频空调、洗衣机和微波炉中的功率控制模块；工业设备中的开关电源和逆变器系统；以及各类需要高耐压、高效率功率开关的场合。
SiHF6N65ED-T1-E3, FQP7N65C, STP8NM65M5, IRF7N65FD2PBF
