CXR716080 时间：2025/8/22 2:55:48 阅读：11

CXR716080是一款专为高效率、高功率密度应用设计的碳化硅（SiC）MOSFET功率晶体管。该器件采用先进的碳化硅半导体技术，具备更低的导通损耗和开关损耗，非常适合用于高频、高温和高功率的应用场景，如电动汽车充电系统、工业电源、可再生能源逆变器等。

参数

类型：碳化硅MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：1200V
　　最大漏极电流（ID）：80A
　　导通电阻（RDS(on)）：60mΩ（典型值）
　　栅极电压范围：-5V ~ +20V
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-247
　　功率耗散（PD）：300W（最大值）
　　短路耐受能力：典型值6μs

特性

CXR716080碳化硅MOSFET具备多项高性能特性。其采用碳化硅材料，使得器件在高温和高电压环境下仍能保持稳定运行。相比传统的硅基MOSFET，该器件的导通电阻更低，开关速度更快，从而显著降低了开关损耗和导通损耗，提高了整体系统的能效。
　　此外，CXR716080具有较高的热导率和耐温能力，可以在恶劣的高温环境下工作，适用于需要高可靠性的工业和汽车电子应用。其TO-247封装设计便于散热，同时兼容标准的功率模块安装方式，简化了设计和制造流程。
　　该器件还具备良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受较高的电流冲击，提高了系统的稳定性和安全性。CXR716080的栅极驱动电压范围较宽，支持从-5V到+20V之间的驱动信号，增强了其在不同驱动电路中的适应性。

应用

CXR716080广泛应用于需要高效能功率转换的领域。在电动汽车领域，该器件可用于车载充电器、DC-DC转换器和逆变器系统，以提高充电效率并减少热量产生。
　　在工业电源方面，CXR716080适用于不间断电源（UPS）、高频开关电源和电机驱动系统，能够有效提升电源转换效率并缩小设备体积。
　　此外，该器件还常用于可再生能源系统，如太阳能逆变器和风能转换系统，支持更高效的能量转换和更高的系统可靠性。
　　由于其良好的高温特性和高耐压能力，CXR716080也适用于轨道交通、智能电网和储能系统等高端电力电子应用。