型号：MSD7342-393MLD
　　封装类型：Surface Mount (SMD)
　　工作频率范围：1.7 - 4.2 GHz
　　耦合系数：6 dB ± 0.5 dB
　　方向性：典型值30 dB，最小25 dB
　　输入驻波比（VSWR）：最大1.5:1
　　平均功率处理能力：2瓦特
　　峰值功率耐受：300瓦特（脉冲宽度≤10μs，占空比≤10%）
　　插入损耗：典型值0.3 dB
　　幅度平衡度：±0.3 dB
　　相位平衡度：±5°
　　工作温度范围：-55°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　端口阻抗：50 Ω

MSD7342-393MLD具备出色的频率响应一致性与高方向性，使其在复杂射频环境中能够精确分离前向与反向传输信号。其核心优势在于采用Mini-Circuits自主研发的薄膜技术，在氧化铝陶瓷基底上通过精密光刻工艺形成金属化传输线结构，从而实现高度一致的电气参数和极低的寄生效应。这种制造方法不仅提升了器件在1.7 GHz至4.2 GHz频段内的宽带性能，还显著增强了温度稳定性和长期可靠性。该耦合器的方向性达到典型值30 dB，在整个工作频段内保持平坦响应，有效提升驻波比测量精度和回波损耗检测灵敏度。此外，其6 dB的耦合系数经过优化，可在不影响主信号路径的前提下提供足够强度的取样信号，适用于连接频谱分析仪、功率计或检波器等外设。器件的输入VSWR低于1.5:1，表明其与50欧姆系统匹配良好，减少了因阻抗失配引起的信号反射问题。插入损耗仅为0.3 dB左右，最大限度地降低了对主链路信号强度的影响，有利于提高整体系统效率。该器件支持连续波和脉冲信号操作，在平均功率2瓦、峰值功率300瓦条件下仍能稳定运行，适用于中等功率发射机监控场景。其幅度和相位平衡性能优异，特别适合用于I/Q信号合成与分解、平衡混频器或推挽式放大器架构中。由于采用全封闭式多层陶瓷封装，MSD7342-393MLD对外部电磁干扰具有较强屏蔽能力，并具备良好的防潮和机械稳定性，可在振动、温变剧烈的工业或户外环境中长期服役。
　　该器件的小尺寸表面贴装封装（约3.2 mm × 1.6 mm）便于集成到高密度PCB布局中，尤其适合小型化通信模块和便携式测试仪器。焊接建议采用回流焊工艺，兼容无铅制程，符合现代电子制造规范。所有材料均通过严格筛选以确保无磁性、低老化率，满足军用和工业级应用需求。数据手册中提供的S参数模型可用于仿真软件（如ADS、HFSS），帮助工程师快速完成系统级建模与优化设计。Mini-Circuits为该系列产品提供完整的测试报告和批次可追溯性，保障产品质量一致性。

MSD7342-393MLD广泛应用于需要高精度射频信号监测与控制的场合。常见用途包括基站收发信台中的前向与反射功率检测，用于自动电平控制（ALC）和故障保护电路；也可作为矢量网络分析仪内部校准路径的一部分，提供稳定的参考与测试信号分路功能。在雷达系统中，它被用于脉冲调制信号的采样与回波信号分离，支持动目标显示（MTI）和距离分辨等功能实现。此外，该器件适用于构建平衡式低噪声放大器（LNA）或功率放大器（PA），利用其良好的相位与幅度匹配特性来抑制共模噪声并扩展动态范围。在测试夹具和校准装置中，MSD7342-393MLD常作为高方向性桥的核心组件，用于精确测量被测设备的输入阻抗与反射系数。其宽带特性也使其适用于多频段无线通信系统，例如GSM、UMTS、LTE以及5G毫米波前端原型开发中的子6GHz频段。在航空航天与国防领域，该耦合器可用于电子战系统中的信号侦测与干扰源定位模块。由于具备良好的温度适应性和长期稳定性，该器件同样适合部署在远程无人值守监测站或卫星地面站等恶劣环境下的射频前端单元。

ZFBDC20-6-S+
　　ERAS-6CL-S+