电容值：100 nF (104)
　　额定电压：50 V
　　电容容差：±20%
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：1812（4532 公制）
　　介质材料：X7R
　　端接类型：表面贴装（SMD）
　　等效串联电阻（ESR）：低 ESR 设计
　　等效串联电感（ESL）：低 ESL 设计

MSD7342-104MLB 作为一种高性能多层陶瓷电容器，具有多项优良特性。首先，其采用 X7R 介质材料，能够在 -55°C 至 +125°C 的宽温度范围内保持稳定的电容值，温度系数较小，适用于高稳定性要求的应用。其次，该电容器的额定电压为 50V，适用于多种中高压电路设计。此外，其 1812（4532 公制）封装尺寸在提供较高电容值的同时，保持了良好的机械强度和焊接可靠性，适合用于自动化贴片生产工艺。
　　MSD7342-104MLB 还具有低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL）特性，这使其在高频电路中表现出色，能够有效减少高频噪声并提高电源去耦性能。此外，该电容器的容差为 ±20%，在大多数应用中提供了足够的精度。由于采用了先进的多层陶瓷工艺，该电容器还具有较高的抗湿性和长期稳定性，适用于恶劣环境条件下的电子设备。

MSD7342-104MLB 主要应用于需要高稳定性和高频性能的电子设备中。典型应用包括电源去耦、模拟和数字滤波电路、射频（RF）电路中的旁路电容、DC-DC 转换器以及高速数字电路的电源管理部分。由于其低 ESR 和 ESL 特性，该电容器特别适合用于去耦高频噪声，确保电源系统的稳定性和信号完整性。
　　此外，该电容器也广泛用于工业控制设备、汽车电子系统、通信基础设施（如基站和光模块）、医疗设备以及消费类电子产品中的高性能电路设计。在汽车电子应用中，其宽工作温度范围和高可靠性使其适用于发动机控制单元、车载信息娱乐系统以及传感器模块。

TDK C3225X7R2H104K230AC | Murata GRM32ER72H104KA01L | Kemet C0805X7R2H104K5RACTU