型号：MSD1260T-183MLD
　　制造商：Vishay Semiconductor
　　器件类型：肖特基势垒二极管阵列
　　配置：双共阴极（Dual Common Cathode）
　　封装：PowerPAK MLP 1212-2
　　安装类型：表面贴装（SMD/SMT）
　　最大反向电压（VRRM）：60 V
　　最大平均整流电流（IO）：1.2 A（每芯片）
　　峰值脉冲正向电流（IFSM）：30 A
　　最大正向电压（VF）：0.48 V（典型值，@ IF = 1 A，TJ = 25°C）
　　最大反向漏电流（IR）：0.1 μA（典型值，@ VR = 60 V，TJ = 25°C）；随温度升高而增加
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　热阻（RθJA）：约 150 K/W（依PCB布局而定）
　　热阻（RθJC）：约 30 K/W
　　引脚数：2
　　无铅/符合RoHS：是
　　湿气敏感等级（MSL）：1（260°C，无限时间）

MSD1260T-183MLD的核心优势在于其卓越的电学性能与紧凑的封装设计相结合。该器件采用先进的肖特基势垒技术，实现了极低的正向导通压降，在1A电流下典型值仅为0.48V，显著降低了导通损耗，提升了电源系统的整体效率。这一特性在电池供电设备中尤为重要，有助于延长续航时间。同时，由于肖特基二极管的固有特性，该器件具备极快的反向恢复速度，几乎无反向恢复电荷（Qrr），因此在高频开关应用中可大幅减少开关损耗，避免因反向恢复引起的电压尖峰和电磁干扰问题，提高了系统稳定性。
　　该器件采用PowerPAK MLP 1212-2封装，尺寸仅为1.2mm x 1.2mm x 0.6mm，极大节省了PCB空间，适用于高密度布局的便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和超薄笔记本电脑。封装底部设有暴露焊盘，可通过焊接至PCB上的热焊盘实现高效的热传导，有效降低结到环境的热阻，从而在小尺寸条件下仍能承受较高的连续电流和瞬态功率。
　　MSD1260T-183MLD具有优异的热稳定性和长期可靠性。其宽工作结温范围（-55°C至+150°C）使其能够在严苛的环境条件下稳定运行，适用于工业级和消费级应用。器件经过严格的可靠性测试，包括高温反向偏置（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和温度循环测试，确保在各种应用场景下的耐用性。此外，该器件无卤素且符合RoHS指令，支持绿色环保制造流程。其湿气敏感等级为MSL-1，意味着在常温常湿环境下可无限期储存，无需烘烤即可进行回流焊，简化了生产流程并降低了制造成本。

MSD1260T-183MLD广泛应用于对空间和效率要求较高的电源管理系统中。典型应用包括便携式电子设备中的DC-DC升压或降压转换器，用于提高能量转换效率并延长电池寿命。在同步整流电路中，该器件可作为低损耗续流二极管使用，替代传统PN结二极管，显著降低功耗。此外，它也适用于电池充电管理电路中的防倒灌二极管，防止电池向电源回路反向放电，保护系统安全。
　　在负载切换和电源多路复用电路中，MSD1260T-183MLD可用于实现自动电源选择功能，例如在主电源断开时无缝切换至备用电池供电。其低正向压降和快速响应能力确保切换过程平稳，避免电压跌落影响系统运行。该器件还可用于OR-ing二极管电路，防止多个电源之间的环流，常见于冗余电源系统或双输入电源设备。
　　在LED驱动、热插拔控制器和电压箝位保护电路中，该肖特基二极管也能发挥重要作用。由于其快速响应特性，可在瞬态过压或反向电压出现时迅速导通，起到保护后续电路的作用。此外，因其小型化封装，特别适合用于空间受限的模块化电源设计、FPGA或ASIC供电网络中的局部整流单元，以及各类高频率开关电源拓扑结构中，如反激式、正激式和SEPIC转换器的输出整流阶段。

MBRS1260T1G
　　SK160A