型号：MSD1260-274KLD
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：20 V
　　连续漏极电流（ID）：30 A（@ 10 V VGS）
　　脉冲漏极电流（IDM）：120 A
　　栅源电压（VGS）：±12 V
　　导通电阻RDS(on)：4.5 mΩ（@ VGS = 10 V）
　　导通电阻RDS(on)：6.0 mΩ（@ VGS = 4.5 V）
　　栅极电荷（Qg）：13 nC（@ VGS = 10 V）
　　输入电容（Ciss）：910 pF
　　反向恢复时间（trr）：17 ns
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：PowerPAK? SO-8L

MSD1260-274KLD采用了Vishay成熟的TrenchFET?垂直沟道技术，这种技术通过优化晶圆内部的沟道结构，显著降低了单位面积下的导通电阻，从而实现了极低的RDS(on)值。在VGS = 10 V条件下，其典型RDS(on)仅为4.5 mΩ，这使得器件在大电流应用中能够有效减少传导损耗，提高电源系统的整体效率。此外，该器件在较低的栅极驱动电压（如4.5 V）下仍能保持良好的导通性能（RDS(on) = 6.0 mΩ），兼容现代低电压逻辑控制信号，适用于由3.3 V或5 V微控制器直接驱动的应用场景。
　　该器件的封装采用PowerPAK? SO-8L双片式设计，底部裸露焊盘可直接连接至PCB的热地平面，极大增强了散热能力。与传统SO-8封装相比，PowerPAK?封装减少了热阻（典型θJA约为40°C/W），即使在高负载条件下也能维持较低的结温，提升了可靠性和寿命。同时，该封装无引脚设计有助于减小寄生电感，进一步优化高频开关性能。
　　MSD1260-274KLD具有较低的总栅极电荷（Qg = 13 nC），这意味着在开关过程中所需的驱动能量更少，有助于降低驱动IC的负担并减少动态功耗。其输入电容（Ciss）为910 pF，配合快速的开关响应时间，使其非常适合用于高频DC-DC变换器，例如同步降压转换器中的上管或下管。此外，体二极管的反向恢复时间较短（trr = 17 ns），可减少反向恢复电荷带来的开关尖峰和电磁干扰，提升系统EMI性能。
　　该器件还具备良好的雪崩耐受能力和坚固的栅氧化层设计，能够在瞬态过压和电流冲击下保持稳定工作。其工作结温范围可达+150°C，并支持工业级和汽车级应用环境。整体设计兼顾了高性能、小型化与可靠性，是现代高密度电源模块的理想选择之一。

MSD1260-274KLD广泛应用于需要高效能、小尺寸和高电流处理能力的电源系统中。典型应用包括同步整流式DC-DC降压转换器，尤其是在服务器、笔记本电脑和通信设备的点负载（POL）电源中作为下桥臂开关使用。由于其低导通电阻和优异的热性能，该器件可在高频率下运行而不过热，适合用于多相VRM（电压调节模块）设计，以满足处理器和GPU对大电流、低电压供电的需求。
　　在便携式电子设备如平板电脑、移动电源和USB PD快充适配器中，该MOSFET可用于电池保护电路、负载开关和充电路径控制，提供快速响应和低静态功耗。此外，在电机驱动应用中，如无人机电调、微型机器人和电动工具的H桥驱动电路中，MSD1260-274KLD凭借其高电流承载能力和快速开关特性，能够有效提升驱动效率并减少发热。
　　该器件也适用于热插拔控制器和冗余电源系统中的电子保险丝（eFuse）功能，利用其低RDS(on)减少压降和功率损耗。在汽车电子领域，尽管该器件未明确标注为AEC-Q101认证，但其宽温度范围和高可靠性使其可用于非安全关键类车载电源系统，如车载信息娱乐系统的电源管理模块。总之，凡是对效率、尺寸和热性能有较高要求的低压大电流开关应用，均是其适用领域。

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　　 "SiSS126DN-T1-E3",
　　 "AOZ1260PI",
　　 "CSD1260A",
　　 "FDMC1260",
　　 "IRLHS6242PbF"
　　]