MSAST168BB5475KTNA01 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为需要高效率和低导通电阻的应用设计。该芯片采用先进的制造工艺,在开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等领域表现出色。其封装形式紧凑,有助于节省电路板空间。
型号:MSAST168BB5475KTNA01
类型:N-Channel MOSFET
额定电压:60V
额定电流:168A
导通电阻(最大):1.2mΩ
栅极电荷(典型值):95nC
连续漏极电流:168A
封装形式:TO-247-3
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
热阻(结到壳):0.25°C/W
MSAST168BB5475KTNA01 具备以下显著特点:
1. 极低的导通电阻,能够有效降低功率损耗。
2. 高额定电流和电压能力,适用于各种高功率应用。
3. 快速开关性能,支持高频操作,减少能量损失。
4. 紧凑型封装设计,优化了散热性能并节省PCB空间。
5. 工作温度范围宽广,能够在极端环境下稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
这款 MOSFET 的综合性能使其成为许多高效能电子系统的理想选择。
MSAST168BB5475KTNA01 主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS),包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动,用于工业自动化设备及消费电子产品。
3. 太阳能逆变器,提高能源转换效率。
4. 电动车辆中的牵引逆变器和电池管理系统。
5. 高效功率模块,满足多种工业和商业需求。
由于其出色的电气特性和可靠性,这款芯片在高功率密度系统中表现尤为突出。
MSAST160BB5475KTNA01, IRFP2907ZPBF