类型：NPN 双极性晶体管
　　最大集电极-发射极电压（Vceo）：50V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大功耗（Pd）：300mW
　　增益带宽积（fT）：250MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据不同档位）
　　最大集电极-基极电压（Vcbo）：50V
　　最大发射极-基极电压（Vebo）：5V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOT-23

LDTD143EET1G 具有多个显著的特性，使其在电子电路中表现出色。首先，其高增益特性使得它非常适合用于信号放大，能够有效地提高信号的强度而不引入过多的噪声。电流增益（hFE）范围为 110-800，这意味着用户可以根据具体的应用需求选择不同的增益档位，从而优化电路性能。
　　其次，LDTD143EET1G 的增益带宽积（fT）为 250MHz，这表明它在高频应用中表现良好，适用于射频（RF）和音频放大器的设计。此外，该晶体管的低噪声特性使其在音频放大器和其他高保真信号处理应用中尤为受欢迎。
　　该晶体管的最大集电极-发射极电压（Vceo）为 50V，最大集电极电流（Ic）为 100mA，能够满足大多数低功率放大和开关应用的需求。同时，其最大功耗为 300mW，确保了在正常工作条件下不会因过热而导致性能下降。
　　最后，LDTD143EET1G 采用 SOT-23 封装，具有紧凑的尺寸和良好的热性能，适合用于空间受限的便携式设备。该封装还提供了良好的机械稳定性和易于焊接的特点，方便在自动化生产线上使用。

LDTD143EET1G 主要用于需要高增益、低噪声和高频响应的电子电路中。最常见的应用之一是射频（RF）放大器，特别是在无线通信设备中，如收音机、无线模块和射频前端电路。其高增益和高频特性使其成为这些应用的理想选择。
　　此外，LDTD143EET1G 也广泛用于音频放大器的设计。在音频设备中，如耳机放大器、音响系统和麦克风前置放大器中，这款晶体管能够提供高质量的音频信号放大，确保声音的清晰度和保真度。
　　它还可以用于通用的信号放大和开关电路中，如电压调节器、逻辑电平转换器和传感器信号调理电路。由于其良好的温度稳定性和可靠性，LDTD143EET1G 也适用于工业控制和测量设备中的信号处理电路。
　　最后，LDTD143EET1G 的 SOT-23 封装使其非常适合用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，这些设备对空间和功耗有严格的要求。

BC547, 2N3904, PN2222