MSASL21GBB5226MTNA01 是一款高性能的存储芯片,主要用于嵌入式系统和工业应用。该芯片属于 NAND Flash 存储器系列,提供大容量的数据存储解决方案。
其设计结合了高速数据传输、低功耗和高可靠性的特点,适用于需要长时间稳定运行的环境。此外,它支持多种接口协议,并具备强大的错误校正功能以确保数据完整性。
容量:21GB
接口类型:NAND Flash
工作电压:1.8V
数据传输速率:400MB/s
封装形式:BGA
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
擦写寿命:3000次
1. 高速数据传输能力,能够满足现代嵌入式系统对快速读写的需求。
2. 内置 ECC(Error Correction Code)引擎,有效减少因存储介质老化导致的数据错误。
3. 支持多级坏块管理机制,从而提高芯片的使用寿命和可靠性。
4. 工业级的工作温度范围,适应各种恶劣环境条件下的使用需求。
5. 具备省电模式,可以显著降低待机功耗。
6. 提供全面的保护功能,包括过压保护和短路保护等。
MSASL21GBB5226MTNA01 广泛应用于工业控制、网络通信设备、医疗电子、安防监控等领域。具体应用场景包括但不限于:
1. 嵌入式计算平台中的操作系统及应用程序存储。
2. 数据记录仪或日志存储设备。
3. 网络路由器和交换机的固件存储。
4. 医疗成像设备中的诊断数据存储。
5. 视频监控系统的录像数据存储。
MSASL21GBB5226MTNA02, MSASL21GBB5226MTNA03