时间：2025/6/4 16:59:13
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SI4909DY是由Vishay生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用了TrenchFET? Gen III技术，具有非常低的导通电阻和优异的开关性能，适用于各种高效率功率转换应用。其小型化的封装设计有助于节省电路板空间，并支持更高的功率密度。该器件广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及便携式电子设备中的电源管理领域。
SI4909DY的最大漏源电压为20V，连续漏极电流高达17A（在25°C条件下）。它采用热增强型DSO-8封装，能够有效提高散热性能。
最大漏源电压：20V
连续漏极电流：17A（@25°C）
导通电阻：3.2mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
栅极电荷：11nC（典型值）
输入电容：1650pF（典型值）
工作结温范围：-55°C至+175°C
封装形式：DSO-8
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗，提升系统效率。
2. TrenchFET? Gen III技术提供出色的开关性能和热稳定性。
3. 小型化DSO-8封装设计，节省PCB空间。
4. 支持高电流处理能力，适合多种功率应用。
5. 宽广的工作温度范围，适应恶劣环境下的使用需求。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC转换器中的高端或低端开关。
3. 负载开关和电池保护电路。
4. 电机驱动及逆变器应用。
5. 便携式设备和消费类电子产品的电源管理。
6. 工业自动化控制中的功率开关组件。
SI4912DY, SI4907DY
