SI4909DY是由Vishay生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用了TrenchFET? Gen III技术,具有非常低的导通电阻和优异的开关性能,适用于各种高效率功率转换应用。其小型化的封装设计有助于节省电路板空间,并支持更高的功率密度。该器件广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及便携式电子设备中的电源管理领域。
SI4909DY的最大漏源电压为20V,连续漏极电流高达17A(在25°C条件下)。它采用热增强型DSO-8封装,能够有效提高散热性能。
最大漏源电压:20V
连续漏极电流:17A(@25°C)
导通电阻:3.2mΩ(典型值,@ Vgs=10V)
栅极电荷:11nC(典型值)
输入电容:1650pF(典型值)
工作结温范围:-55°C至+175°C
封装形式:DSO-8
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗,提升系统效率。
2. TrenchFET? Gen III技术提供出色的开关性能和热稳定性。
3. 小型化DSO-8封装设计,节省PCB空间。
4. 支持高电流处理能力,适合多种功率应用。
5. 宽广的工作温度范围,适应恶劣环境下的使用需求。
6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC-DC转换器中的高端或低端开关。
3. 负载开关和电池保护电路。
4. 电机驱动及逆变器应用。
5. 便携式设备和消费类电子产品的电源管理。
6. 工业自动化控制中的功率开关组件。
SI4912DY, SI4907DY