时间：2025/5/14 19:25:24
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MSASE21GBB5226MTNA01是一款高性能的存储芯片，属于东芝（Toshiba）推出的eMMC系列。该器件主要应用于嵌入式系统、消费类电子设备以及工业控制领域。它将NAND闪存与控制器集成在一起，提供了一个简化且高效的存储解决方案。
这款芯片支持最新版本的JEDEC eMMC标准，具备快速的数据传输速率和可靠的性能表现。其封装形式为BGA，适合高密度设计需求，并且在功耗和稳定性方面表现出色。
容量：21GB
接口类型：eMMC 5.1
工作电压：1.7V~1.95V（I/O），2.7V~3.6V（VCCQ）
数据传输速率：最高400MB/s
封装形式：BGA
工作温度范围：-25℃至+85℃
引脚数：153
MSASE21GBB5226MTNA01采用了先进的制程技术，确保了较低的功耗和较高的数据吞吐能力。
该芯片内置了错误纠正码（ECC）功能，能够显著提高数据的可靠性和完整性。
支持多种功能，例如Boot分区、坏块管理、磨损均衡等，这些特性有助于延长产品的使用寿命并优化性能。
此外，它还具有强大的兼容性，可以轻松适配不同的主控平台和操作系统。
此型号特别适用于需要大容量存储但对空间要求严格的场景，如智能手机、平板电脑、导航仪及物联网设备。
MSASE21GBB5226MTNA01广泛用于以下领域：
1. 智能手机和平板电脑的内部存储
2. 车载信息娱乐系统
3. 工业自动化设备中的数据记录模块
4. 物联网终端节点的本地存储单元
5. 数字电视和其他多媒体播放设备
6. 可穿戴设备及便携式医疗仪器
MSASE32GBB5226MTNA01
THGBM7G1D8LBAIL
THGBM7G1D8JBAIV
