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MSA1162GT1G 发布时间 时间:2025/6/17 16:56:37 查看 阅读:4

MSA1162GT1G是一款高性能的光电二极管阵列芯片,专为高速数据传输和高灵敏度光学检测应用设计。该芯片采用了先进的CMOS工艺制造,具有低噪声、高响应度和宽光谱响应范围的特点。它通常用于光纤通信、激光测距、工业自动化等领域。

参数

型号:MSA1162GT1G
  封装形式:QFN48
  工作电压:3.3V
  响应波长范围:400nm - 1050nm
  暗电流:≤1nA(典型值)
  峰值响应波长:850nm
  响应时间:≤1ns
  工作温度范围:-40℃至+85℃

特性

MSA1162GT1G具备优异的性能特点:
  1. 高灵敏度:芯片在红外波段(如850nm)表现出极高的响应度。
  2. 快速响应:其响应时间小于等于1纳秒,非常适合高速信号处理场景。
  3. 宽光谱响应范围:覆盖从可见光到近红外的广泛波段。
  4. 超低暗电流:确保在低光照条件下的稳定工作。
  5. 小型化封装:采用QFN48封装,节省空间且便于集成。
  6. 低功耗:仅需3.3V供电即可实现高性能运行。
  7. 工业级可靠性:能够在极端温度范围内可靠工作,适应各种恶劣环境。

应用

MSA1162GT1G广泛应用于以下领域:
  1. 光纤通信系统中的接收端模块。
  2. 激光测距与雷达系统的信号探测组件。
  3. 医疗设备中的光学传感单元。
  4. 工业自动化设备中的位置检测和物体识别功能。
  5. 安防监控摄像头中的高精度光学感应部分。
  6. 数据中心的高速光互连解决方案。
  7. 科学研究中的精密光学测量仪器。

替代型号

MSA1162GT1F, MSA1162GT1H

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MSA1162GT1G产品

MSA1162GT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)500mV @ 10mA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)100nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)200 @ 2mA,6V
  • 功率 - 最大200mW
  • 频率 - 转换80MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SC-59
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称MSA1162GT1GOSMSA1162GT1GOS-NDMSA1162GT1GOSTR