GMC04CG331J50NT 是一款基于氮化镓(GaN)技术的功率晶体管,属于 GaN Systems 公司的产品系列。该器件采用了增强型 GaN 晶体管技术,具有高开关速度、低导通电阻和高效率的特点,适用于高频开关电源、DC-DC 转换器、逆变器以及其他需要高效能和高频率工作的应用领域。
此型号特别设计用于工业级应用环境,能够提供卓越的热性能和可靠性。
最大漏源电压:600V
连续漏极电流:28A
导通电阻:33mΩ
栅极电荷:90nC
开关频率:超过2MHz
工作温度范围:-40℃ 至 +125℃
GMC04CG331J50NT 的主要特性包括:
1. 采用增强型 GaN 技术,具备出色的开关特性和低导通损耗。
2. 高频操作能力使其非常适合于小型化和高效率的电力电子设备。
3. 极低的导通电阻保证了在高电流条件下的高效能量传输。
4. 内置保护功能增强了器件的可靠性和耐用性。
5. 支持表面贴装封装形式,便于自动化生产和散热管理。
6. 出色的热稳定性和电气性能,适应苛刻的工作环境。
7. 提供了较低的栅极驱动需求,简化了系统设计并降低了整体复杂度。
GMC04CG331J50NT 广泛应用于以下领域:
1. 高效 DC-DC 转换器和电源模块。
2. 太阳能微型逆变器和储能系统。
3. 数据中心和服务器电源解决方案。
4. 电动汽车车载充电器(OBC)及电机驱动控制。
5. 快速充电适配器和其他消费类电子产品中的高效电源转换。
6. 工业用高频开关电源和不间断电源(UPS)。
GMC04CG331J30NT
GMC04CG331K50NT