时间：2025/12/28 0:31:17
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MS74-150MT是一款由UTC（友顺科技）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、开关电路和电机驱动等高效率、高频率的电子系统中。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高输入阻抗和快速开关响应等优点，适用于DC-DC转换器、电源适配器、LED驱动电源以及电池管理系统等多种应用场景。MS74-150MT封装形式为TO-220M，具备良好的热稳定性和机械强度，适合在工业级温度范围内可靠运行。该MOSFET的设计兼顾了性能与成本，在消费类电子产品和工业控制设备中均有广泛应用。
作为一款中压段MOSFET，MS74-150MT的额定电压为150V，能够承受较高的漏源电压，同时保持较低的导通损耗。其栅极阈值电压适中，易于通过常见的逻辑电平或驱动电路进行控制。此外，该器件具有较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下提供一定的自我保护能力，提升了系统的整体可靠性。由于其优异的电气特性与成熟的生产工艺，MS74-150MT成为许多工程师在设计中小功率开关电源时的首选之一。
型号：MS74-150MT
封装：TO-220M
极性：N沟道
漏源电压(VDSS)：150V
栅源电压(VGSS)：±20V
连续漏极电流(ID)：74A @ 25°C
脉冲漏极电流(IDM)：296A
导通电阻(RDS(on))：18mΩ @ VGS=10V, ID=37A
导通电阻(RDS(on))：23mΩ @ VGS=4.5V, ID=37A
栅极电荷(Qg)：68nC @ VGS=10V
输入电容(Ciss)：2800pF @ VDS=25V
反向恢复时间(trr)：38ns
工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
热阻结到壳(RθJC)：1.7°C/W
MS74-150MT采用先进的沟槽式场效应晶体管结构，这种结构通过优化硅基材料中的沟道布局，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少功率损耗并提高整体能效。在VGS=10V时，其典型RDS(on)仅为18mΩ，即使在较低的驱动电压4.5V下也能维持23mΩ的低阻状态，这使得它在轻载和满载条件下均表现出优异的导通性能。低RDS(on)意味着在大电流应用中发热更少，有助于简化散热设计，降低系统整体成本。
该器件具备出色的开关特性，其栅极电荷Qg仅为68nC，表明在开关过程中所需的驱动能量较小，有利于实现高频操作而不会显著增加驱动电路负担。输入电容Ciss为2800pF，在同类产品中处于较低水平，进一步提升了其高频响应能力，适用于高达数百kHz甚至更高的开关频率场景，如同步整流和高频DC-DC变换器。此外，较短的反向恢复时间trr（38ns）减少了体二极管在关断过程中的反向恢复电荷，降低了开关损耗和电磁干扰（EMI），提高了系统效率与稳定性。
MS74-150MT还具备良好的热性能和可靠性。其热阻结到壳RθJC为1.7°C/W，配合TO-220M封装的大面积金属背板，可有效将内部热量传导至散热器，确保长时间高负载运行下的温度可控。器件支持的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应严苛的工业环境。内置的雪崩能量耐受能力使其在突发电压冲击下仍能保持功能完整性，增强了系统鲁棒性。此外，±20V的栅源电压耐受能力提供了足够的安全裕度，防止因驱动信号波动导致栅氧层击穿。这些综合特性使MS74-150MT在竞争激烈的功率MOSFET市场中具备较强的性价比优势。
MS74-150MT因其高电流承载能力、低导通电阻和优良的开关特性，被广泛用于各类中等功率电力电子系统中。常见应用包括开关模式电源（SMPS），尤其是在AC-DC适配器、离线式反激电源和正激转换器中作为主开关或同步整流管使用。其150V的漏源电压等级适合用于48V至100V输出的工业电源系统，在保证安全裕度的同时实现高效能量转换。
在DC-DC降压（Buck）和升压（Boost）转换器中，MS74-150MT常作为主控开关管或续流管，利用其低RDS(on)减少导通损耗，提升电源效率，特别适用于服务器电源、通信设备电源模块和太阳能充电控制器等对能效要求较高的场合。此外，该器件也适用于电机驱动电路，例如在电动工具、风扇、泵类设备的H桥或半桥驱动中，作为功率开关元件实现精确的速度与扭矩控制。
在电池供电系统中，如便携式设备、UPS不间断电源和锂电池管理系统（BMS）中，MS74-150MT可用于电池充放电控制和保护电路，凭借其快速响应能力和低静态功耗，有助于延长电池续航时间并提高安全性。其TO-220M封装便于安装散热片，适合需要手动焊接或维护的工业设备。此外，该器件还可用于LED恒流驱动电源、逆变器、电焊机电源模块等领域，展现出良好的通用性和适应性。
APT74150LVFRG
STP74NF150
FQP74N15
