时间：2025/5/22 21:43:17
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MS18U836M-D低功耗的 CMOS 静态随机存取存储器（SRAM）。该芯片采用先进的工艺制造，具有高速存取和高可靠性的特点，适用于需要快速数据读写的各种应用场景。其封装形式为符合行业标准的小型封装，能够满足现代电子设备对空间节省的需求。
容量：2Mb
位宽：8位/16位可选
工作电压：1.7V 至 1.9V
工作电流：典型值 20mA
待机电流：典型值 1μA
访问时间：5ns
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：BGA-48
MS18U836M-DU05C 提供了卓越的性能和稳定性，主要特性如下：
1. 超低功耗设计，非常适合电池供电设备。
2. 高速存取时间可达 5ns，确保在高频应用中的高效运行。
3. 支持多种位宽配置，增强了灵活性以适配不同系统架构。
4. 具备强大的抗干扰能力，能够在恶劣环境下保持稳定操作。
5. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
6. 宽工作电压范围，允许灵活适应不同的电源条件。
7. 提供全面的保护机制，包括过压保护和静电放电（ESD）防护。
这款 SRAM 广泛应用于以下领域：
1. 工业控制设备，如 PLC 和人机界面。
2. 网络通信设备，例如路由器和交换机缓存。
3. 医疗仪器，用于实时数据采集与处理。
4. 汽车电子系统，提供临时数据存储功能。
5. 嵌入式系统中作为高速缓冲存储器。
6. 测试测量设备，例如示波器和信号发生器。
MS18U836M-DU05B, MS18U836M-DU05A
