型号：MS125-390MT
　　类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：-20V
　　最大栅源电压(VGS)：±12V
　　连续漏极电流(ID)：-1.8A
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：-3.6A
　　导通电阻(RDS(on))：45mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻(RDS(on))：60mΩ @ VGS = -2.5V
　　栅极阈值电压(Vth)：-0.4V ~ -1.0V
　　输入电容(Ciss)：330pF @ VDS=10V
　　反向传输电容(Crss)：50pF @ VDS=10V
　　输出电容(Coss)：290pF @ VDS=10V
　　开启延迟时间(Td(on))：7ns
　　关断延迟时间(Td(off))：20ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23

MS125-390MT具备优异的电气性能和热稳定性，其核心优势在于低导通电阻与高开关速度的结合，使其在电池供电设备和高效电源管理系统中表现出色。该器件的RDS(on)在VGS = -4.5V时仅为45mΩ，在同类P沟道MOSFET中处于领先水平，能够显著减少导通损耗，提升整体效率。同时，由于采用了先进的沟槽式MOS工艺，器件在保持低导通电阻的同时也实现了较小的芯片尺寸，有利于缩小封装体积并降低成本。该MOSFET的开关特性优良，输入电容和反向传输电容均经过优化，减小了驱动功率需求，并降低了高频应用中的开关损耗。其快速的开启和关断响应时间（分别为7ns和20ns左右）使其适用于高频DC-DC转换器和同步整流等场合。
　　此外，MS125-390MT具有良好的热性能，在SOT-23封装下仍能承受高达1.8A的连续漏极电流，得益于高效的内部热传导设计和高质量的封装材料。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，可在严苛的工业或户外环境中可靠运行。其栅极氧化层经过强化处理，具备较强的抗静电能力，典型的人体模型（HBM）ESD耐压可达±2000V，提升了在生产装配和现场使用中的安全性。器件还具备良好的抗雪崩能力和稳健的长期可靠性，符合RoHS环保标准，无卤素，支持绿色电子产品设计。这些综合特性使得MS125-390MT成为中小功率开关应用中的理想选择。

MS125-390MT常用于各类低压直流电源管理系统中，尤其是在需要高效、紧凑设计的便携式电子设备中发挥重要作用。典型应用包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的负载开关和电源路径管理，用于控制不同功能模块的供电通断，实现节能和热管理。在电池供电系统中，它可作为高端开关用于电池反向连接保护或充放电控制电路，防止电流倒灌损坏充电管理IC。该器件也广泛应用于同步降压（Buck）转换器的上管或下管位置，配合N沟道MOSFET实现高效率电压转换。此外，在DC-DC模块、LDO后级开关、电机驱动电路和LED驱动电路中也有广泛应用。
　　工业控制领域中，MS125-390MT可用于PLC输入输出模块、传感器供电开关和继电器驱动电路，提供稳定的开关控制能力。在通信设备如路由器、交换机和光模块中，它可用于多路电源的顺序上电控制或热插拔管理。由于其SOT-23封装体积小、重量轻，特别适合高密度贴装的PCB设计，满足现代电子产品对小型化和轻薄化的需求。同时，其良好的温度适应性和长期稳定性也使其适用于汽车电子中的非动力系统，如车载信息娱乐系统、车内照明控制等。总之，凡是在-20V以下电压范围内需要P沟道MOSFET进行开关控制的场景，MS125-390MT都是一个高性价比且可靠的选择。

AO3415, FDMC8690, Si2301DS, BSS84