时间:2025/12/28 0:37:03
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MS124-680MT是一款由Vishay Semiconductor生产的表面贴装肖特基势垒二极管阵列,采用SMA(DO-214AC)封装。该器件内部集成了两个独立的肖特基二极管,配置为共阴极结构,常用于高频开关电源、整流电路、反向电压保护以及信号解调等应用场合。由于其低正向压降和快速恢复特性,MS124-680MT在提高系统效率和减少热损耗方面表现出色,广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制及便携式电子产品中。该型号的命名规则中,'MS'通常代表肖特基二极管系列,'124'为产品系列编号,'680'表示额定反向重复电压(VRRM)为68V,'M'可能指代特定的电流等级或产品变体,'T'则表明其为卷带包装,适用于自动化贴片生产流程。器件符合RoHS环保要求,并具备良好的可靠性和稳定性,在正常工作条件下可长期稳定运行。
类型:双肖特基二极管
配置:共阴极
封装:SMA(DO-214AC)
最大重复反向电压(VRRM):68V
最大直流反向电压(VR):68V
最大正向整流电流(IF):1A
峰值浪涌正向电流(IFSM):30A
最大正向电压(VF):0.575V @ 1A, 150°C
最大反向漏电流(IR):0.5mA @ 68V, 125°C
工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
存储温度范围(TSTG):-55°C 至 +150°C
安装方式:表面贴装
引脚数:2
MS124-680MT的核心特性之一是其低正向导通压降,典型值仅为0.575V,在1A电流和高温150°C条件下仍能保持较低的VF,这显著降低了导通状态下的功率损耗,提升了电源转换效率。这一优势源于其采用的肖特基势垒技术,利用金属-半导体结替代传统的PN结,从而避免了少数载流子的存储效应,实现近乎瞬时的开关响应。该器件不具备传统意义上的反向恢复时间(trr),因此在高频开关应用中不会产生额外的开关损耗和电磁干扰,特别适合用于开关模式电源(SMPS)、DC-DC转换器和逆变器等高频率工作环境。
另一个关键特性是其双二极管共阴极结构设计,允许用户在需要对称整流或双路信号处理的应用中使用单个器件完成两个功能单元的集成,节省了PCB布局空间并简化了装配流程。这种结构常见于全波整流电路或双通道输入保护电路中。此外,SMA封装具有较小的体积和良好的热传导性能,便于在紧凑型设备中实现高效散热。器件支持高达1A的连续正向电流和30A的峰值浪涌电流,具备较强的瞬态负载承受能力,能够在启动或异常工况下提供可靠的电流通过路径。
MS124-680MT还具备出色的温度稳定性和低反向漏电流特性。尽管肖特基二极管通常存在较高的反向漏电问题,但该型号在125°C高温下最大漏电流仍控制在0.5mA以内,确保了在高温环境下系统的稳定运行。其宽泛的工作结温范围(-55°C至+150°C)使其适用于严苛的工业与汽车级应用环境。同时,器件通过了无铅工艺认证,符合现代绿色电子制造标准,适用于自动化回流焊工艺,增强了生产一致性和可靠性。
MS124-680MT广泛应用于各类需要高效整流与低损耗开关操作的电子系统中。在开关电源领域,它常被用作次级侧整流二极管,特别是在低压大电流输出的AC-DC适配器和DC-DC变换器中,其低正向压降可有效提升整体能效并减少散热需求。在便携式设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源管理模块中,该器件有助于延长电池续航时间。此外,它也适用于LED驱动电源、USB充电接口的反接保护电路以及电池充放电管理系统中的防倒灌设计。
在通信设备中,MS124-680MT可用于信号整流与检波电路,利用其快速响应特性实现高频信号的精确处理。在工业控制系统中,该二极管常作为继电器或电磁阀的反电动势抑制元件(续流二极管),防止感性负载断开时产生的高压脉冲击穿控制芯片。其高浪涌电流承受能力也使其适合用于电源输入端的瞬态电流吸收与过载保护。此外,在太阳能充电控制器、小型逆变器和电机驱动电路中,该器件能够提供稳定可靠的整流功能,适应多变的负载与环境条件。由于其SMA封装的小尺寸特性,MS124-680MT也广泛用于空间受限的高密度印刷电路板设计,满足现代电子产品小型化、轻量化的发展趋势。
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