型号：MS104-820MT
　　制造商：Monolithic Power Systems (MPS)
　　拓扑结构：同步降压（Buck）
　　输入电压范围：4.5V 至 18V
　　输出电压范围：0.8V 至 15V（可调）
　　最大输出电流：3A
　　开关频率：500kHz（典型值）
　　控制模式：峰值电流模式控制
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C（结温）
　　封装类型：QFN-16（3mm × 3mm）
　　集成MOSFET：是（内部上下管全集成）
　　静态电流：约70μA（关断模式下）
　　关断电流：小于1μA
　　反馈参考电压：0.8V ±1%
　　占空比范围：0% 至 100%
　　保护功能：过流保护（OCP）、过温保护（OTP）、短路保护（SCP）、UVLO
　　引脚兼容性：与部分MPS系列降压IC兼容

MS104-820MT采用先进的BCD工艺制造，具备出色的动态响应能力和负载调整率，在输入电压突变或负载快速变化时仍能保持稳定的输出电压。其内部集成的高压侧和低压侧MOSFET不仅降低了导通损耗，还避免了使用外置功率管带来的布局复杂性和寄生电感问题，从而提高了整体转换效率，满载条件下典型效率可达95%以上。该芯片的峰值电流模式控制架构提供了良好的线路和负载瞬态响应，并支持逐周期电流限制，增强了系统的抗干扰能力和安全性。此外，MS104-820MT内置软启动电路，可通过外部电容调节启动时间，有效抑制启动过程中的浪涌电流，防止输入电源跌落或损坏后级电路。芯片还配备了精确的使能（EN）引脚，允许用户通过外部逻辑信号控制芯片的开启与关闭，便于实现电源时序管理和节能操作。在轻载条件下，器件自动进入跳频模式（PFM），显著降低开关损耗，提升轻载效率，延长电池供电设备的工作时间。其QFN-16小型封装具有优良的散热性能，配合合理的PCB布局可实现良好的热管理，适用于紧凑型高功率密度设计。所有这些特性使得MS104-820MT成为高性能、高可靠性的电源管理解决方案的理想选择。
　　此外，MS104-820MT在EMI优化方面也表现出色，支持频率展频（需外部配置）和优化的开关节点布局，有助于满足电磁兼容性要求，减少对外部滤波元件的依赖。其内置的多种保护机制包括欠压锁定（UVLO）、过温关断（OTP）和打嗝模式下的短路保护，能够在极端工作条件下自动切断输出并尝试重启，避免永久性损坏。这些功能大大提升了系统在工业环境或恶劣条件下的鲁棒性。同时，该芯片对PCB布局的要求相对友好，关键路径设计清晰，推荐使用4层板以增强散热和信号完整性。数据手册中提供了完整的参考设计和外围元件选型指南，帮助工程师快速完成电源设计并缩短产品上市周期。总体而言，MS104-820MT以其高集成度、高效率、宽输入范围和强大的保护功能，成为现代中等功率DC-DC转换应用中的优选方案。

MS104-820MT广泛应用于多种需要高效、稳定直流电源的电子系统中。常见于工业自动化控制设备，如PLC模块、传感器供电单元和工业HMI面板，其宽输入电压范围能够适应不同等级的工业电源总线（如12V或15V系统）。在消费类电子产品中，该芯片可用于智能音箱、机顶盒、路由器和家庭网关等设备的内核电源或I/O供电，提供干净且高效的电压转换。在通信基础设施领域，MS104-820MT适用于小型基站、光模块供电和网络交换设备中的局部电源管理。此外，由于其小尺寸封装和高功率密度特性，也被广泛用于便携式医疗设备、手持终端和测试测量仪器中，为微处理器、FPGA、ASIC或DDR内存提供可靠的电源轨。在汽车电子辅助系统中，例如车载信息娱乐系统或ADAS摄像头模块，该芯片可在经过适当滤波和防护的前提下用于非安全关键的次级电源转换。其可调输出电压特性使其能够灵活适配不同的负载需求，例如为MCU核心供电提供1.8V或3.3V，为接口电路提供5V等。同时，得益于其良好的热性能和保护机制，即使在高温密闭环境中也能长期稳定运行。对于需要多路电源轨的设计，MS104-820MT可与其他电源芯片协同工作，构建完整的电源树结构。其高效率表现也有助于降低系统功耗和热量积累，符合绿色能源和可持续发展的设计理念。因此，无论是批量生产的商用设备还是定制化的工业模块，MS104-820MT都能提供成熟可靠的电源解决方案。

MP2451DT-LF-Z
　　MPQ4572DL-AEC1-LF-Z
　　LMR16030SDDAR