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IRF7413 发布时间 时间:2025/4/28 18:23:29 查看 阅读:2

IRF7413是一款由Vishay公司生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用TrenchFET技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合于高频开关应用。其封装形式为SO-8,能够有效降低热阻并提高散热性能。IRF7413主要应用于DC-DC转换器、电机驱动、负载开关以及电源管理等领域。
  由于其出色的电气特性和稳定性,IRF7413在需要高效能和高可靠性的电路中得到了广泛应用。

参数

最大漏源电压:20V
  最大栅源电压:±10V
  连续漏极电流:26A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  总功耗:29W
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

IRF7413采用了先进的TrenchFET Gen II技术,具备以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻Rds(on),有助于减少传导损耗,提升系统效率。
  2. 高频开关能力,支持快速开关操作,非常适合高频功率转换应用。
  3. 小型SO-8封装设计,便于PCB布局和安装。
  4. 优秀的热性能,确保长时间运行下的稳定性和可靠性。
  5. 支持高电流输出,满足大功率负载需求。
  6. 宽广的工作温度范围,适应各种恶劣环境。

应用

IRF7413适用于多种电力电子应用场景,包括但不限于以下领域:
  1. DC-DC转换器:用于降压或升压电路中的主开关元件。
  2. 开关模式电源(SMPS):作为功率级MOSFET,提供高效的电能转换。
  3. 电机驱动:控制直流无刷电机或步进电机的启停及调速。
  4. 负载开关:实现电路的快速通断功能。
  5. 工业自动化设备:例如PLC控制器、机器人驱动等。
  6. 汽车电子系统:如电动助力转向系统(EPS)、车载充电器等。
  7. 通信电源:用于基站或其他通信设备的供电模块。

替代型号

IRF7402, IRF7407, IRF7410

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IRF7413参数

  • 典型关断延迟时间52 ns
  • 典型接通延迟时间8.6 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs52 nC V @ 10
  • 典型输入电容值@Vds1800 pF V @ 25
  • 安装类型表面贴装
  • 宽度4mm
  • 封装类型SO-8
  • 尺寸5 x 4 x 1.5mm
  • 引脚数目8
  • 最低工作温度-55 °C
  • 最大功率耗散2.5 W
  • 最大栅源电压±20 V
  • 最大漏源电压30 V
  • 最大漏源电阻值0.018
  • 最大连续漏极电流13 A
  • 最高工作温度+150 °C
  • 每片芯片元件数目1
  • 类别功率 MOSFET
  • 通道模式增强
  • 通道类型N
  • 配置四漏极、单、三源
  • 长度5mm
  • 高度1.5mm