时间：2025/8/15 1:22:38
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SVT20120UB 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高效率的电源管理应用。该器件采用了先进的沟槽栅技术和优化的硅工艺，提供了卓越的导通电阻（Rds(on)）性能和快速的开关特性，适用于如电源转换器、DC-DC 转换器、电池管理系统、电机驱动以及工业自动化设备等应用。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（Id）：120A
最大漏源电压（Vds）：200V
导通电阻（Rds(on)）：12.8mΩ（典型值）
栅极电压（Vgs）：±20V
最大功率耗散（Ptot）：300W
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
SVT20120UB 的核心特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流工作条件下能够显著降低导通损耗，提高系统效率。
该 MOSFET 采用了先进的沟槽栅结构，优化了电场分布，从而提高了器件的击穿电压能力和可靠性。
此外，SVT20120UB 具备优异的热稳定性和高耐雪崩能力，使其在高应力工作环境下依然能够保持稳定的性能。
其快速的开关特性（包括低栅极电荷和低反向恢复电荷）有助于减少开关过程中的能量损耗，提高电源系统的整体效率。
该器件还具备良好的短路耐受能力，适用于高要求的工业和汽车应用环境。
TO-247 封装设计提供了良好的散热性能和机械稳定性，便于安装和使用。
由于其高可靠性和优异的电气性能，SVT20120UB 被广泛用于各种高功率密度设计中。
SVT20120UB 主要应用于高功率电源系统，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）、UPS（不间断电源）、工业电机驱动、太阳能逆变器、电动汽车充电系统以及各种需要高效率和高可靠性的功率电子设备。
在服务器电源和电信电源系统中，SVT20120UB 可用于提高系统效率和稳定性。
在电动汽车和充电基础设施中，该器件可用于车载充电器、电池管理系统和逆变器模块。
在工业自动化和控制系统中，SVT20120UB 常被用于电机控制、电源分配和高功率负载切换。
由于其优异的热性能和高耐压能力，它也适用于高温和高湿度等恶劣环境下的电源设计。
STP200N20F7AG, FDP200N20F, IPW60R017C7
