MRF8S9170NR3 时间：2025/7/14 16:45:07 阅读：9

MRF8S9170NR3 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的高功率射频（RF）横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）晶体管。该器件专为高频、高效率和高线性度的应用而设计，广泛应用于无线通信基础设施、基站放大器、广播发射机以及其他需要高功率射频放大的设备中。

参数

频率范围：850 MHz - 960 MHz
　　输出功率：170 W CW @ 915 MHz
　　增益：24 dB @ 915 MHz
　　漏极效率：35% @ 915 MHz
　　工作电压：VDD = 28 V
　　封装类型：TO-270（AB包）
　　阻抗匹配：内部输入匹配
　　热阻：RθJC = 0.25°C/W

特性

MRF8S9170NR3 具备出色的射频性能和稳定性，是一款适用于多载波通信系统和其他高功率应用的LDMOS晶体管。其主要特性包括宽频率覆盖能力（涵盖850至960 MHz频段），非常适合用于蜂窝通信和广播系统中的功放模块。在915 MHz的工作频率下，该器件可以提供高达170 W的连续波（CW）输出功率，并具有24 dB的高增益和35%的漏极效率，确保了高效能和低能耗的表现。
　　此外，MRF8S9170NR3 在封装上采用了TO-270形式，具备良好的散热能力和可靠性。其内部输入匹配网络简化了外部电路设计，减少了开发时间和成本。同时，该晶体管还支持高线性度操作，适合用于需要高质量信号传输的应用场景，如基站功率放大器、DVB-T广播发射机等。
　　在热管理方面，该器件拥有0.25°C/W的结到壳热阻（RθJC），能够在高功率运行时保持较低的结温，从而提高长期工作的稳定性和寿命。其标准工作电压为28 V，符合常见的射频电源供应标准，便于集成于多种系统中。

应用

MRF8S9170NR3 主要应用于各类射频功率放大器系统，特别是在移动通信基础设施中扮演重要角色。例如，它可用于4G LTE基站的主功率放大器模块，以实现高效的信号传输和稳定的通信连接。此外，该器件也适用于数字视频广播（DVB-T）、通用无线通信发射系统以及工业测试设备中的射频功率放大环节。
　　由于其高功率输出和优良的线性度表现，MRF8S9170NR3 非常适合用于多载波放大系统，如CDMA、WCDMA、TDMA等多种通信标准下的基站设备。在广播领域，该晶体管可用于UHF电视发射机和调频广播系统的末级放大器，提供稳定可靠的高功率输出。
　　除了通信相关应用外，MRF8S9170NR3 还可用于射频加热、等离子体生成、医疗射频治疗设备等需要高功率射频能量的场合。其强大的输出能力和良好的热管理性能使其成为许多高要求应用场景的理想选择。