类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：500V
　　最大栅源电压(Vgs)：±30V
　　最大漏极电流(Id)：1.5A
　　最大功耗(Pd)：150W
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247
　　频率范围：DC 至 500MHz
　　增益：约14dB（典型值）
　　输出功率：约125W（典型值）
　　输入阻抗：50Ω

MRF894的主要特性包括其在UHF频段内的高效功率放大能力，适用于从DC到500MHz的宽频率范围应用。该器件采用先进的硅栅技术，提供高增益和高效率的射频输出。其增益通常可达14dB，输出功率在适当的驱动条件下可达125W以上，适用于各种射频放大器设计。MRF894的输入阻抗为50Ω，使其易于与射频源匹配，减少信号反射和损耗。此外，该器件具备良好的热稳定性和高耐压能力，能够在高温和高电压条件下稳定工作。其TO-247封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于在电路板上安装和使用。MRF894的栅极保护设计允许其在较宽的栅源电压范围内工作，提高了其在复杂射频环境中的可靠性和耐用性。
　　另一个关键特性是其低互调失真（IMD）性能，这使其在多频段或宽带应用中能够保持信号的完整性，减少失真和干扰。此外，MRF894的高线性度和稳定性使其非常适合用于调幅（AM）、调频（FM）以及数字通信系统中的射频功率放大器设计。该器件还具备良好的抗冲击和抗干扰能力，适用于工业、科学和医疗（ISM）频段设备、无线通信设备以及射频测试仪器等应用。

MRF894广泛应用于射频功率放大器的设计，特别是在UHF频段的通信设备中。常见的应用包括工业、科学和医疗（ISM）频段的射频发生器、高频加热设备、医疗射频治疗设备、广播发射机的前置放大器、无线通信系统中的功率放大模块等。此外，MRF894也适用于各种业余无线电设备、射频测试设备以及需要高功率放大的射频系统中。其高可靠性和良好的热稳定性使其在恶劣工作环境下依然能够保持稳定性能。

MRF893, MRF895, BLF244, 2N6081